Як користуватися пошуком
Знайдено документів: 5
Матеріали
Стаття
Опубліковано
Залежність параметра анізотропії термо-ЕРС захоплення від концентрації домішок у кристалах n-Ge таn-Si
Гайдар Г.П.. Залежність параметра анізотропії термо-ЕРС захоплення від концентрації домішок у кристалах n-Ge таn-Si : публікація 2024-09-08; Видавничий дім "Академперіодика", 2124U012613
Дисертація кандидатська
Тензоефекти в багатодолинних напівпровідниках (n-Ge, n-Si)
1
Луньов Сергій Валентинович. Тензоефекти в багатодолинних напівпровідниках (n-Ge, n-Si) : к.ф.-м.н. : спец.. 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків : дата захисту 2011-02-24; Статус: Захищена; Волинський національний університет імені Лесі Українки. – , 0411U000606.
НДДКР ОК
Розробка нових підходів для створення перспективних наноструктурованих матеріалів, технологічних та аналітичних багатофункціональних систем на основі напівпровідникових та органічних сполук
3
Керівник: Венгер Євген Федорович. Розробка нових підходів для створення перспективних наноструктурованих матеріалів, технологічних та аналітичних багатофункціональних систем на основі напівпровідникових та органічних сполук. (Етап: ). Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України. № 0210U004454
Дисертація кандидатська
Фізико - активні впливи на явища переносу в монокристалах антимоніду кадмію.
4
Коваль Юрій Васильович. Фізико - активні впливи на явища переносу в монокристалах антимоніду кадмію. : к.ф.-м.н. : спец.. 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків : дата захисту 2010-06-10; Статус: Захищена; Волинський національний університет імені Лесі Українки. – , 0410U003788.
НДДКР ОК
Комплексні дослідження впливу міждефектної взаємодії в кристалах Si, Ge, GaAs, КРТ і МРТ на кінетику електронних процесів в термодинамічно рівноважних і нерівноважних умовах.
Керівник: Баранський П.І.. Комплексні дослідження впливу міждефектної взаємодії в кристалах Si, Ge, GaAs, КРТ і МРТ на кінетику електронних процесів в термодинамічно рівноважних і нерівноважних умовах.. (Етап: ). Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України. № 0200U001276
Знайдено документів: 5

Оновлено: 2026-11-07


Роздрукувати цю сторінку