Search academic texts

Information × Registration Number 0410U003788, Candidate dissertation Status к.ф.-м.н. Date 10-06-2010 popup.evolution o Title Physico - active influence on the transport phenomena in single crystals of cadmium antimonid. Author Koval Yuriy, popup.head Fedosov A.V. popup.opponent Баранський П.І. popup.opponent Раренко І.М. popup.opponent Шендеровський В.А. Description Дисертація присвячена з'ясуванню закономірностей впливу дефектів технологічного та радіаційного походження на явища переносу в монокристалах антимоніду кадмію при різних фізико - активних впливах і наявності неоднорідного розподілу легуючої домішки в об'ємі напівпровідника. Виявлено наявність неоднорідностей в розподілі домішок Te та In в монокристалах CdSb. Встановлено вплив шаруватих періодичних неоднорідностей (ШПН) на ефект перемикання з високоомного в низькоомний стан в монокристалах CdSb(Te). Виявлено, що із-за впливу ШПН при збільшенні інтенсивності освітлення у зразках CdSb(Te), вирізаних вздовж осі росту кристала, відбувається різке зростання рухливості та середньої транспортної довжини вільного пробігу носіїв заряду. Встановлено, що при гама-опроміненні монокристалів CdSb(In) спостерігаються максимуми на залежностях рухливості носіїв заряду від дози опромінення та запропоновано модель, яка пояснює дане явище. Запропоновано принципово нову методику для визначення глибини залягання енергетичних рівнів у забороненій зоні напівпровідників, що ґрунтується лише на використанні даних п'єзоопору. Registration Date 2010-06-10 popup.nrat_date 2020-04-04 Close