Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0210U004454, 0106U000878 , Науково-дослідна робота Назва роботи Розробка нових підходів для створення перспективних наноструктурованих матеріалів, технологічних та аналітичних багатофункціональних систем на основі напівпровідникових та органічних сполук Назва етапу роботи Керівник роботи Венгер Євген Федорович, Дата реєстрації 27-12-2010 Організація виконавець Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України Опис етапу Звіт по НДР: 545 с., 1 частина та окремий звіт про патентні дослідження, 108 рисунків, 13 Таблиць , 238 посилань. Метою проекту була розробка нових підходів для створення перспективних наноструктурованих матеріалів та багатофункціональних систем на основі напівпровідникових та органічних сполук. Об'єктами досліджень були напівпровідникові матеріали А4 (n- і p-Si, Ge та сполуки nc-SiC, 4Н SiC, 6H SiC, плівки Ge), А3В5 (GaAs, AlN/GaN, AlGaN/GaN, AlGaN/GaN/Al2O3 ), A2B5 (c-ZnAs2, a-CdAs2), A2B6 (CdZnTe, CdS, CdSe ZnS, ZnSe, CdHgTe), прості (p-Cu1.8S/n-CdSe) і багатошарові (p-Cu1,8S/n--ZnS/n-A2B6) гетероструктури, гетеросистеми NbN-GaS, ZnSe-GaAs, Ge-GaAs, гетеросистеми з фулеренами, аморфні плівки TiBx(ZrBx) на SiC та n-n+GaAs; SiXC1-X:H, детекторні діоди з бар'єром Шотткі Au-TiBx(ZrBx)-n6HSiC, біологічний і синтетичний гідроксилапатит та дітіонат барію; сенсорні структури Si-тонкі плівки органічних сполук з органічними летючими молекулами; акустокеровані електронні пристрої, кремнієві нанокластери в SiO2-матриці. Для досліджень використовувались рентгеноструктурний та хімічний аналізи, радіоспектроскопія, акустоелектронні методи, люмінесцентна та поляризаційно-модуляційна спектроскопія. В роботі розроблено технологію виготовлення фоточутливих гетероструктур на основі А2В6 і їх твердих розчинів, досліджено оптичні, електрофізичні, фізико-хімічні та структурні властивості матеріалів електронної техніки (включаючи і наноструктуровані) в полях активних зовнішніх факторів: теплових, електричних, магнітних, ультразвукових, механічних, а також, лазерного та ?-опромінення. Оптимізовано хімічні методи одержання колоїдних розчинів нанокристалів CdS та CdTe, процеси виготовлення тонких шарів поліаніліну із стабільними електрофізичними параметрами, формування до них омічних контактів. Хімічним травленням отримано por-шари на підкладках GaAs(111) і GaAs(100); вивчено спектри ФЛ в por-GaAs та ВАХ сформованих структур In/por-GaAs/GaAs/In. З'ясовано вплив технологічних режимів виготовлення ІЧ-світлодіодів на основі подвійних гетероструктур р+-InP/n- InхGa1-хAsyP1-y/n-InP і InAs фотодіодів на їх основні технічні параметри; оптимізовано електрофізичні параметри активної області. Виготовлено дослідні зразки вказаних світлодіодів, атестовано їх технічні параметри та проведено їх порівняння з відповідними комерційними аналогами. Проведено детальний патентний пошук з питань, що розглядаються у НДР. Результати НДР можуть бути використані в електронній промисловості для створення різноманітних високоякісних сенсорів. ГЕТЕРОСТРУКТУРИ, НАПІВПРОВІДНИКОВІ СЕНСОРИ, СПОЛУКИ А4 , А3В5 , A2B6 , СЕНСОРИ УФ ВИПРОМІНЮВАННЯ, СПЕКТРАЛЬНА ЧУТЛИВІСТЬ, ФОТОПЕРЕТВОРЮВАЧІ, ФОТОЛЮМІНЕСЦЕНЦІЯ, КОЛОЇДНИЙ СИНТЕЗ, НАНОКРИСТАЛИ Опис продукції 1. Модуляційно-поляризаційний біосенсор для аналізу біохімічних середовищ методом поверхневого плазмонного резонансу. 2.Спосіб виготовлення охолоджуваних (Т=77К) фоточутливих InAs p-n-переходів. 3. Конструкція чутливої області p-n-переходів (концентрація основних носіїв заряду, глибина залягання p-n-переходів, товщина чутливої області). Автори роботи Бєляєв О.Є. Бабич В.М. Баранський П.І. Бугай О.А. Венгер Є.Ф. Гасан-заде С.Г. Глинчук К.Д. Казанцева З.І. Калабухова К.М. Козловський С.І. Комащенко В.М. Конакова Р.В. Ліптуга А.І. Матвеєва Л.О. Насєка Ю.М. Прохорович А.В. Сердега Б.К. Стрільчук О.М. Томашик В.М. Фомін О.В. Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити