Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0411U000606, Кандидатська дисертація На здобуття к.ф.-м.н. Дата захисту 24-02-2011 Статус Запланована Назва роботи Тензоефекти в багатодолинних напівпровідниках (n-Ge, n-Si) Здобувач Луньов Сергій Валентинович, Керівник Федосов С.А. Опонент Баранський П.І. Опонент Головацький В.А. Опис Дисертація присвячена вивченню особливостей тензоефектів в кристалах n-Ge та n-Si при наявності технологічних і радіаційних дефектів. Запропоновано метод розрахунку зміни положення глибоких енергетичних рівнів при дії одновісної пружної деформації, на основі якого було визначено баричні коефіцієнти зміни енергетичної щілини між глибоким енергетичним рівнем золота і дном зони провідності n-Ge та глибоким енергетичним рівнем А-центру і дном зони провідності n-Si для різних кристалографічних напрямків. Оцінено ступінь заповнення глибоких рівнів в кристалах n-Ge та n-Si. Досліджено особливості міждолинного розсіяння в кристалах кремнію при високих температурах. Дата реєстрації 2011-02-24 Додано в НРАТ 2020-04-04 Закрити