Кандидатська дисертація. Луньов Сергій Валентинович. Тензоефекти в багатодолинних напівпровідниках (n-Ge, n-Si)

Реєстраційний номер

0411U000606, Кандидатська дисертація

На здобуття

к.ф.-м.н.

Дата захисту

24-02-2011

Статус

Захищена

Назва роботи

Тензоефекти в багатодолинних напівпровідниках (n-Ge, n-Si)

Здобувач

Луньов Сергій Валентинович,

Керівник Федосов С.А.
Опонент Баранський П.І.
Опонент Головацький В.А.

Установа, організація, у вченій раді якої відбудеться/відбувся захист

Волинський національний університет імені Лесі Українки

Опис

Дисертація присвячена вивченню особливостей тензоефектів в кристалах n-Ge та n-Si при наявності технологічних і радіаційних дефектів. Запропоновано метод розрахунку зміни положення глибоких енергетичних рівнів при дії одновісної пружної деформації, на основі якого було визначено баричні коефіцієнти зміни енергетичної щілини між глибоким енергетичним рівнем золота і дном зони провідності n-Ge та глибоким енергетичним рівнем А-центру і дном зони провідності n-Si для різних кристалографічних напрямків. Оцінено ступінь заповнення глибоких рівнів в кристалах n-Ge та n-Si. Досліджено особливості міждолинного розсіяння в кристалах кремнію при високих температурах.

Дата реєстрації

2011-03-15

Додано/оновлено в НРАТ

2020-04-04 / 2026-06-30