Search academic texts

Information × Registration Number 0415U001766, Candidate dissertation Status к.ф.-м.н. Date 08-04-2015 popup.evolution o Title Сharge transport mechanisms in ohmic contacts to silicon microwave diodes Author Vynohradov Anatolij Olehovych, popup.head Konakova Raisa Vasylivna popup.opponent Марченко Олександр Анатолійович popup.opponent Лев Богдан Іванович Description Дисертація присвячена дослідженню механізмів струмопереносу в омічних контактах Au-Ti-Pd2Si-n-Si з великою густиною структурних дефектів на межі контактоутворення і дослідженню зростаючої температурної залежності питомого контактного опору з підвищенням температури вимірювання, а також омічних контактів Au-Ti-Pd2Si-n+-n-Si. Така залежність пояснюється механізмом протікання струму через металеві шунти, суміщені з дислокаціями, або механізмом формування омічного контакту до кремнію, зумовленим наявністю на межі поділу n+-n-Si збагачуючого вигину зон. Визначено технологічні фактори, котрі зумовлюють формування високої густини дислокацій в приконтактній області n-Si, що призводить до виникнення металевої провідності в омічному контакті. Registration Date 2015-04-08 popup.nrat_date 2020-04-03 Close