Registration Number
0415U001766, Candidate dissertation
Status
к.ф.-м.н.
Date
08-04-2015
popup.evolution
.
Title
Сharge transport mechanisms in ohmic contacts to silicon microwave diodes
Author
Vynohradov Anatolij Olehovych,
popup.head Konakova Raisa Vasylivna
popup.opponent Марченко Олександр Анатолійович
popup.opponent Лев Богдан Іванович
popup.rada
Institute of Semiconductor Physics
Description
Дисертація присвячена дослідженню механізмів струмопереносу в омічних контактах Au-Ti-Pd2Si-n-Si з великою густиною структурних дефектів на межі контактоутворення і дослідженню зростаючої температурної залежності питомого контактного опору з підвищенням температури вимірювання, а також омічних контактів Au-Ti-Pd2Si-n+-n-Si. Така залежність пояснюється механізмом протікання струму через металеві шунти, суміщені з дислокаціями, або механізмом формування омічного контакту до кремнію, зумовленим наявністю на межі поділу n+-n-Si збагачуючого вигину зон. Визначено технологічні фактори, котрі зумовлюють формування високої густини дислокацій в приконтактній області n-Si, що призводить до виникнення металевої провідності в омічному контакті.
Registration Date
2015-04-17
popup.nrat_date
2020-04-04 / 2026-06-29
