Registration Number
0426U000265, Candidate dissertation
Status
Кандидат хімічних наук
Date
16-12-2026
popup.evolution
o
Чому дисертація має статус "Запланована"?
Title
Phase equilibria, crystal structure and properties of chalcogenide phases in the systems R2X3–{Ga,In}2X3–DIVX2(NiX), R– La, Pr; DIV–Si, Ge, Sn; X–S, Se and related
Author
Nazarii Blashko,
popup.head Oleg V. Marchuk
popup.opponent Volodymyr S. Babizhetskyy
popup.opponent Marina V. Bulanova
popup.rada
Ivan Franko National University of Lviv
Description
Дисертаційна робота присвячена вивченню фазових рівноваг за температури 770 К у квазіпотрійних системах R2X3–{Ga,In}2X3–DIVX2(NiX), (де R–La, Pr; DIV–Si, Ge, Sn; X–S, Se), виявленню закономірностей взаємодії між компонентами, дослідженню кристалічної та зонної структури проміжних фаз складу Ln3Ga1,67X7 і Ln3Ge1,25Se7 (Ln – лантаноїд) легованих d-елементами (Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Ag, Cd, Hg), p-елементом Pb, а також твердих розчинів на їх основі. За результатами РФА та РСА вперше побудовано відповідно 24 та 8 ізотермічних перерізів діаграм стану квазіпотрійних систем R2X3–{Ga,In}2X3–DIVX2 і R2X3–{Ga,In}2X3–NiX, R–La, Pr; DIV–Si, Ge, Sn; X–S, Se. Взаємодію компонентів у системі Pr2S3 – Tb2S3 – Er2S3 – GeS2 досліджено в площині концентраційного трикутника Pr4Ge3S12 – ‘Tb4Ge3S12’ – ‘Er4Ge3S12’. Вперше методом рентгенівської порошкової дифрактометрії визначено кристалічну структуру 75 тетрарних халькогенідних фаз: {Ce,Nd}1,5R1,5Ga1,67S7, R3Cu0,45Ga1,52S7, R3Ag0,45Ga1,52X7, R3Mn0,1Ga1,6S7, R3Fe0,1Ga1,6X7, R3Co0,1Ga1,6S7, R3Ni0,1Ga1,6S7, Pr3BII0,1Ga1,6Se7, R3Pb0,1Ga1,6X7, R3GaGe0,5Se7, La3Ga0,56In1,11Se7, Pr3In0,33SiS7, R3Ag4kGe1,25-kSe7 (k = 0,05; 0,10; 0,15), де R – РЗМ; BII – Mn, Co, Ni, Cd, Hg; X – S, Se (СТ La3CuSiS7; ПГ P63), а також фаз змінного складу Pr4-m-nTbmErnGe3S12 (m = 0,16, 0,24, 0,56, 1,00; n = 0,16, 0,28, 0,56, 1,04) (СТ La4Ge3S12; ПГ R3c). Вперше в межах теорії функціонала густини (DFT) з використанням GGA функціонала (програмний пакет CASTEP) розраховано параметри зонної структури 14 тетрарних халькогенідів. Побудовано зонно-енергетичні діаграми та криві повної (DOS) і парціальної (PDOS) густин електронних станів. Визначено внесок d-елементів та халькогенів у формування енергетичних рівнів поблизу рівня Фермі. Встановлено, що досліджені фази є вузькозонними напівпровідниками з прямими переходами або виявляють металічний тип провідності. Вперше на основі спектрів дифузного відбивання із використанням функції Кубелки-Мунка та методу Тауца визначено ширину забороненої зони для сульфідів R3Fe0,1Ga1,6S7 (R – La, Ce, Pr, Nd, Tb), Pr4-m-nTbmErnGe3S12 (m = 0,16, 0,24, 0,56, 1,00; n = 0,16, 0,28, 0,56, 1,04), а також для селенідів La3Ga0,56In1,11Se7 і Tb3Ag4kGe1,25-kSe7 (k=0,05; 0,10; 0,15). Методом динамічного розсіювання світла вперше визначено гідродинамічні радіуси частинок та індекси їх полідисперсності для порошкоподібних халькогенідів Ce3Ag0,45Ga1,52Se7 та R3Fe0,1Ga1,6S7 (R – La, Ce, Pr, Nd, Tb). Встановлено, що отримані дисперсні системи є монодисперсними. Результати дослідження фазових рівноваг у квазітернарних системах R2X3–{Ga,In}2X3–DIVX2(NiX) (R–La, Pr; DIV–Si, Ge, Sn; X–S, Se), а також вивчення кристалічної структури та властивостей сполук, розширюють фундаментальні знання про характер взаємодії компонентів та дозволяють використовувати отримані нецентросиметричні матеріали у нелінійній оптиці, неорганічній хімії та матеріалознавстві.
Registration Date
2026-11-06
popup.nrat_date
2026-11-06 / 2026-11-06
