Реєстраційний номер
0426U000265, Кандидатська дисертація
На здобуття
Кандидат хімічних наук
Дата захисту
16-12-2026
Статус
Запланована
Чому дисертація має статус "Запланована"?
Назва роботи
Фазові рівноваги, кристалічна структура та властивості халькогенідних фаз у системах R2X3–{Ga,In}2X3–DIVX2(NiX), R–La, Pr; DIV–Si, Ge, Sn; X–S, Se та споріднених
Здобувач
Блашко Назарій Миколайович,
Керівник Марчук Олег Васильович
Опонент Бабіжецький Володимир Станіславович
Опонент Буланова Марина Вадимівна
Установа, організація, у вченій раді якої відбудеться/відбувся захист
Львівський національний університет імені Івана Франка
Опис
Дисертаційна робота присвячена вивченню фазових рівноваг за температури 770 К у квазіпотрійних системах R2X3–{Ga,In}2X3–DIVX2(NiX), (де R–La, Pr; DIV–Si, Ge, Sn; X–S, Se), виявленню закономірностей взаємодії між компонентами, дослідженню кристалічної та зонної структури проміжних фаз складу Ln3Ga1,67X7 і Ln3Ge1,25Se7 (Ln – лантаноїд) легованих d-елементами (Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Ag, Cd, Hg), p-елементом Pb, а також твердих розчинів на їх основі. За результатами РФА та РСА вперше побудовано відповідно 24 та 8 ізотермічних перерізів діаграм стану квазіпотрійних систем R2X3–{Ga,In}2X3–DIVX2 і R2X3–{Ga,In}2X3–NiX, R–La, Pr; DIV–Si, Ge, Sn; X–S, Se. Взаємодію компонентів у системі Pr2S3 – Tb2S3 – Er2S3 – GeS2 досліджено в площині концентраційного трикутника Pr4Ge3S12 – ‘Tb4Ge3S12’ – ‘Er4Ge3S12’. Вперше методом рентгенівської порошкової дифрактометрії визначено кристалічну структуру 75 тетрарних халькогенідних фаз: {Ce,Nd}1,5R1,5Ga1,67S7, R3Cu0,45Ga1,52S7, R3Ag0,45Ga1,52X7, R3Mn0,1Ga1,6S7, R3Fe0,1Ga1,6X7, R3Co0,1Ga1,6S7, R3Ni0,1Ga1,6S7, Pr3BII0,1Ga1,6Se7, R3Pb0,1Ga1,6X7, R3GaGe0,5Se7, La3Ga0,56In1,11Se7, Pr3In0,33SiS7, R3Ag4kGe1,25-kSe7 (k = 0,05; 0,10; 0,15), де R – РЗМ; BII – Mn, Co, Ni, Cd, Hg; X – S, Se (СТ La3CuSiS7; ПГ P63), а також фаз змінного складу Pr4-m-nTbmErnGe3S12 (m = 0,16, 0,24, 0,56, 1,00; n = 0,16, 0,28, 0,56, 1,04) (СТ La4Ge3S12; ПГ R3c). Вперше в межах теорії функціонала густини (DFT) з використанням GGA функціонала (програмний пакет CASTEP) розраховано параметри зонної структури 14 тетрарних халькогенідів. Побудовано зонно-енергетичні діаграми та криві повної (DOS) і парціальної (PDOS) густин електронних станів. Визначено внесок d-елементів та халькогенів у формування енергетичних рівнів поблизу рівня Фермі. Встановлено, що досліджені фази є вузькозонними напівпровідниками з прямими переходами або виявляють металічний тип провідності. Вперше на основі спектрів дифузного відбивання із використанням функції Кубелки-Мунка та методу Тауца визначено ширину забороненої зони для сульфідів R3Fe0,1Ga1,6S7 (R – La, Ce, Pr, Nd, Tb), Pr4-m-nTbmErnGe3S12 (m = 0,16, 0,24, 0,56, 1,00; n = 0,16, 0,28, 0,56, 1,04), а також для селенідів La3Ga0,56In1,11Se7 і Tb3Ag4kGe1,25-kSe7 (k=0,05; 0,10; 0,15). Методом динамічного розсіювання світла вперше визначено гідродинамічні радіуси частинок та індекси їх полідисперсності для порошкоподібних халькогенідів Ce3Ag0,45Ga1,52Se7 та R3Fe0,1Ga1,6S7 (R – La, Ce, Pr, Nd, Tb). Встановлено, що отримані дисперсні системи є монодисперсними. Результати дослідження фазових рівноваг у квазітернарних системах R2X3–{Ga,In}2X3–DIVX2(NiX) (R–La, Pr; DIV–Si, Ge, Sn; X–S, Se), а також вивчення кристалічної структури та властивостей сполук, розширюють фундаментальні знання про характер взаємодії компонентів та дозволяють використовувати отримані нецентросиметричні матеріали у нелінійній оптиці, неорганічній хімії та матеріалознавстві.
Дата реєстрації
2026-11-06
Додано/оновлено в НРАТ
2026-11-06 / 2026-11-06
