Search academic texts

Information × Registration Number 0493U000302, Candidate dissertation Status к.ф.-м.н. Date 27-11-1992 popup.evolution o Title Author Кардашов Дмитрий Леонидович, popup.head Баженов В.К. popup.opponent Кив А.Е. popup.opponent Миронченко Ю.О. Description Объект исследования: Полупроводники IV группы, полупроводниковые соединения А3В5 и А2В6, диэлектрики SiO2; Si3N4. Цель исследования: Разработка единой методики расчета плотности электронных состояний и уровней дефектов в кристалльных и аморфных твердых телах. Методы исследования и аппаратура: Метод функций Грина; ЭВМ "ДВК-3". Теоретические результаты и новизна: На базе теории функций Грина разработана новая схема расчета энергетического спектра нейтральных вакансий в твердых телах; разработана новая методика расчета плотности электронных состояний в полупроводниках общей структуры в модели кластера с решеткой Бете. Сфера (область) использования: Физика твердого тела, физика полупроводников и диэлектриков. Registration Date 1992-11-27 popup.nrat_date 2020-05-17 Close