Registration Number
0498U001202, Candidate dissertation
Status
к.т.н.
Date
22-05-1998
popup.evolution
.
Title
Author
Рябец Сергей Иванович,
popup.head Царенко О.Н.
popup.opponent Левинзон Д.И.
popup.opponent одинцов В.В.
popup.rada
Description
Объект исследования: Эпитаксиальные слои твердых растворов Pb1-xSnxTe1-ySey и гетероструктуры на их основе на диэлектрических подложках. Цель исследования: Физико-химические исследования процессов роста и разработка лабораторной методики получения изопериодных малонапряженных эпитаксиальных гетероструктур в систкме Pb-Sn-Te-Se методами жидкофазной эпитаксии. Методы исследования и аппаратура: Методы жидкофазной эпитаксии на установке "Эпос", оптический экспресс-контроль при помощи металлографического микроскопа МИМ-7; дефектоскопия на фотоакустическом микроскопе; рентгеноспектральный анализ на электронно-зондовом микроанализаторе "Camebax-microbeam"; электронная микроскопия на растровом электронном микроскопе;метод Ван дер Пау по исследова. Теоретические результаты и новизна: Анализ процессов роста жидкой фазы твердых растворов в системе Pb-Sn-Te-Se на диэлектрических подложках KCl и ВаF2; исследования критических толщин эпислоев Pb1-xSnxTe1-ySey и составов твердых и жидких фаз вдоль изопериодной линии аВаF2=6,20А. Практические результаты и новизна: опрелены технологические режимы выращивания тонких буферных изопериодных слоев Pb1-xSnxTe1-ySey8 применено для улучшения качества эпислоев Ту-Вi растворитель; разработана лабораторная методика выращивания методом жидкофазной эпитаксии изопериодных р-n-гетеропереходов в едином технологическом процессе, исключая легирование. Предмет и степень внедрения: Фотодиоды с максимальной чувствительностью - 10 мкм. Эффективность внедрения: Обеспечивает улучшение рабочих параметров в сравнении с известными гетроструктурами при рабочих температурах, выше температур глубокого охлаждения. Сфера (область) использования: ИК-оптоэлектроника.
Registration Date
1998-07-03
popup.nrat_date
2020-05-17 / 2026-06-30
