Реєстраційний номер
0498U001202, Кандидатська дисертація
На здобуття
к.т.н.
Дата захисту
22-05-1998
Статус
Захищена
Назва роботи
Физико-химические особенности жидкофазной эпитаксии твердых растворов в системе Pb-Sn-Te-Se на диэлектрических подложках
Здобувач
Рябец Сергей Иванович,
Керівник Царенко О.Н.
Опонент Левинзон Д.И.
Опонент одинцов В.В.
Установа, організація, у вченій раді якої відбудеться/відбувся захист
Херсонский индустриальный институт
Опис
Объект исследования: Эпитаксиальные слои твердых растворов Pb1-xSnxTe1-ySey и гетероструктуры на их основе на диэлектрических подложках. Цель исследования: Физико-химические исследования процессов роста и разработка лабораторной методики получения изопериодных малонапряженных эпитаксиальных гетероструктур в систкме Pb-Sn-Te-Se методами жидкофазной эпитаксии. Методы исследования и аппаратура: Методы жидкофазной эпитаксии на установке "Эпос", оптический экспресс-контроль при помощи металлографического микроскопа МИМ-7; дефектоскопия на фотоакустическом микроскопе; рентгеноспектральный анализ на электронно-зондовом микроанализаторе "Camebax-microbeam"; электронная микроскопия на растровом электронном микроскопе;метод Ван дер Пау по исследова. Теоретические результаты и новизна: Анализ процессов роста жидкой фазы твердых растворов в системе Pb-Sn-Te-Se на диэлектрических подложках KCl и ВаF2; исследования критических толщин эпислоев Pb1-xSnxTe1-ySey и составов твердых и жидких фаз вдоль изопериодной линии аВаF2=6,20А. Практические результаты и новизна: опрелены технологические режимы выращивания тонких буферных изопериодных слоев Pb1-xSnxTe1-ySey8 применено для улучшения качества эпислоев Ту-Вi растворитель; разработана лабораторная методика выращивания методом жидкофазной эпитаксии изопериодных р-n-гетеропереходов в едином технологическом процессе, исключая легирование. Предмет и степень внедрения: Фотодиоды с максимальной чувствительностью - 10 мкм. Эффективность внедрения: Обеспечивает улучшение рабочих параметров в сравнении с известными гетроструктурами при рабочих температурах, выше температур глубокого охлаждения. Сфера (область) использования: ИК-оптоэлектроника.
Дата реєстрації
1998-07-03
Додано/оновлено в НРАТ
2020-05-17 / 2026-06-30
