Пошук академічних текстів

Реєстраційний номер

0498U001202, Кандидатська дисертація

На здобуття

к.т.н., 05.27.06, Технологія, обладнання та виробництво електронної техніки

Дата захисту

22-05-1998

Статус

Запланована

Назва роботи

Физико-химические особенности жидкофазной эпитаксии твердых растворов в системе Pb-Sn-Te-Se на диэлектрических подложках

Здобувач

Рябец Сергей Иванович,

Керівник Царенко О.Н.
Опонент Левинзон Д.И.
Опонент одинцов В.В.

Опис

Объект исследования: Эпитаксиальные слои твердых растворов Pb1-xSnxTe1-ySey и гетероструктуры на их основе на диэлектрических подложках. Цель исследования: Физико-химические исследования процессов роста и разработка лабораторной методики получения изопериодных малонапряженных эпитаксиальных гетероструктур в систкме Pb-Sn-Te-Se методами жидкофазной эпитаксии. Методы исследования и аппаратура: Методы жидкофазной эпитаксии на установке "Эпос", оптический экспресс-контроль при помощи металлографического микроскопа МИМ-7; дефектоскопия на фотоакустическом микроскопе; рентгеноспектральный анализ на электронно-зондовом микроанализаторе "Camebax-microbeam"; электронная микроскопия на растровом электронном микроскопе;метод Ван дер Пау по исследова. Теоретические результаты и новизна: Анализ процессов роста жидкой фазы твердых растворов в системе Pb-Sn-Te-Se на диэлектрических подложках KCl и ВаF2; исследования критических толщин эпислоев Pb1-xSnxTe1-ySey и составов твердых и жидких фаз вдоль изопериодной линии аВаF2=6,20А. Практические результаты и новизна: опрелены технологические режимы выращивания тонких буферных изопериодных слоев Pb1-xSnxTe1-ySey8 применено для улучшения качества эпислоев Ту-Вi растворитель; разработана лабораторная методика выращивания методом жидкофазной эпитаксии изопериодных р-n-гетеропереходов в едином технологическом процессе, исключая легирование. Предмет и степень внедрения: Фотодиоды с максимальной чувствительностью - 10 мкм. Эффективность внедрения: Обеспечивает улучшение рабочих параметров в сравнении с известными гетроструктурами при рабочих температурах, выше температур глубокого охлаждения. Сфера (область) использования: ИК-оптоэлектроника.

Додано в НРАТ

2020-05-17