Search academic texts

Information × Registration Number 0499U000012, Candidate dissertation Status к.т.н. Date 18-12-1998 popup.evolution o Title Author Урум Галина Дмитриевна, popup.head Кив А.Ю. popup.opponent Мокрицкий В.А. popup.opponent Ирха В.И. Description Объект исследования: Аморфные фоточувствительные слои полупроводников на примере а-Si. Цель исследования: Нахождение оптимальных условий получения полупроводниковых аморфных пленок с функциональными параметрами. Методы исследования и аппаратура: Использовали метод компьютерного моделирования аморфной фазы, молекулярной динамики и решения кинетических уравнений. Теоретические результаты и новизна: Выявлены новые структурные и электронные характеристики а-Si, механизмы диффузии в имплантированных слоях, механизмы фотодеградации фоточувствительных материалов. Практические результаты и новизна: Указаны пути получения однородных аморфных пленок а-Si большой площади, увеличения ресурса фотоэлектронных приборов путем уменьшения эффекта быстрой диффузии и фотодеградации. Предмет и степень внедрения: Рекомендации для уменьшения эффектов фотодеградации фоточувствительных пленок полупроводников использованы в Институте физики НАН Украины и НПП "Орион" (г. Москва). Эффективность внедрения: Уменьшение механических напряжений под действием низкоэнергетичной радиации использовано в НПП "Орион". Сфера (область) использования: Создание фотоэлектронных приборов с высоким кпд и большим ресурсом. Registration Date 1998-12-18 popup.nrat_date 2020-05-17 Close