Registration Number
0499U000012, Candidate dissertation
Status
к.т.н.
Date
18-12-1998
popup.evolution
.
Title
Author
Урум Галина Дмитриевна,
popup.head Кив А.Ю.
popup.opponent Мокрицкий В.А.
popup.opponent Ирха В.И.
popup.rada
Description
Объект исследования: Аморфные фоточувствительные слои полупроводников на примере а-Si. Цель исследования: Нахождение оптимальных условий получения полупроводниковых аморфных пленок с функциональными параметрами. Методы исследования и аппаратура: Использовали метод компьютерного моделирования аморфной фазы, молекулярной динамики и решения кинетических уравнений. Теоретические результаты и новизна: Выявлены новые структурные и электронные характеристики а-Si, механизмы диффузии в имплантированных слоях, механизмы фотодеградации фоточувствительных материалов. Практические результаты и новизна: Указаны пути получения однородных аморфных пленок а-Si большой площади, увеличения ресурса фотоэлектронных приборов путем уменьшения эффекта быстрой диффузии и фотодеградации. Предмет и степень внедрения: Рекомендации для уменьшения эффектов фотодеградации фоточувствительных пленок полупроводников использованы в Институте физики НАН Украины и НПП "Орион" (г. Москва). Эффективность внедрения: Уменьшение механических напряжений под действием низкоэнергетичной радиации использовано в НПП "Орион". Сфера (область) использования: Создание фотоэлектронных приборов с высоким кпд и большим ресурсом.
Registration Date
1999-02-02
popup.nrat_date
2020-05-17 / 2026-06-30
