Реєстраційний номер
0499U000012, Кандидатська дисертація
На здобуття
к.т.н.
Дата захисту
18-12-1998
Статус
Захищена
Назва роботи
Фотоструктурные превращения и деградационные процессы в фоточувствительных аморфных полупроводниках
Здобувач
Урум Галина Дмитриевна,
Керівник Кив А.Ю.
Опонент Мокрицкий В.А.
Опонент Ирха В.И.
Установа, організація, у вченій раді якої відбудеться/відбувся захист
Украинская государственная академия связи им.А.С.Попова
Опис
Объект исследования: Аморфные фоточувствительные слои полупроводников на примере а-Si. Цель исследования: Нахождение оптимальных условий получения полупроводниковых аморфных пленок с функциональными параметрами. Методы исследования и аппаратура: Использовали метод компьютерного моделирования аморфной фазы, молекулярной динамики и решения кинетических уравнений. Теоретические результаты и новизна: Выявлены новые структурные и электронные характеристики а-Si, механизмы диффузии в имплантированных слоях, механизмы фотодеградации фоточувствительных материалов. Практические результаты и новизна: Указаны пути получения однородных аморфных пленок а-Si большой площади, увеличения ресурса фотоэлектронных приборов путем уменьшения эффекта быстрой диффузии и фотодеградации. Предмет и степень внедрения: Рекомендации для уменьшения эффектов фотодеградации фоточувствительных пленок полупроводников использованы в Институте физики НАН Украины и НПП "Орион" (г. Москва). Эффективность внедрения: Уменьшение механических напряжений под действием низкоэнергетичной радиации использовано в НПП "Орион". Сфера (область) использования: Создание фотоэлектронных приборов с высоким кпд и большим ресурсом.
Дата реєстрації
1999-02-02
Додано/оновлено в НРАТ
2020-05-17 / 2026-06-30
