Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0499U000012, Кандидатська дисертація На здобуття к.т.н. Дата захисту 18-12-1998 Статус Запланована Назва роботи Фотоструктурные превращения и деградационные процессы в фоточувствительных аморфных полупроводниках Здобувач Урум Галина Дмитриевна, Керівник Кив А.Ю. Опонент Мокрицкий В.А. Опонент Ирха В.И. Опис Объект исследования: Аморфные фоточувствительные слои полупроводников на примере а-Si. Цель исследования: Нахождение оптимальных условий получения полупроводниковых аморфных пленок с функциональными параметрами. Методы исследования и аппаратура: Использовали метод компьютерного моделирования аморфной фазы, молекулярной динамики и решения кинетических уравнений. Теоретические результаты и новизна: Выявлены новые структурные и электронные характеристики а-Si, механизмы диффузии в имплантированных слоях, механизмы фотодеградации фоточувствительных материалов. Практические результаты и новизна: Указаны пути получения однородных аморфных пленок а-Si большой площади, увеличения ресурса фотоэлектронных приборов путем уменьшения эффекта быстрой диффузии и фотодеградации. Предмет и степень внедрения: Рекомендации для уменьшения эффектов фотодеградации фоточувствительных пленок полупроводников использованы в Институте физики НАН Украины и НПП "Орион" (г. Москва). Эффективность внедрения: Уменьшение механических напряжений под действием низкоэнергетичной радиации использовано в НПП "Орион". Сфера (область) использования: Создание фотоэлектронных приборов с высоким кпд и большим ресурсом. Дата реєстрації 1998-12-18 Додано в НРАТ 2020-05-17 Закрити