Registration Number
0518U000730, Doctoral dissertation
Status
Доктор фізико-математичних наук
Date
17-09-2018
popup.evolution
.
Title
Acoustically and radiation induced phenomena in surface barrier silicon and gallium arsenide structures
Author
Olikh Oleg , Кандидат фізико-математичних наук
popup.head Olikh Oleg
popup.advisor Olikh Oleg
popup.opponent Tatarenko Valentyn Andriyovych
popup.opponent Neimash Volodymyr
popup.opponent Tartachnyk Volodymyr
popup.opponent Kostylyov Vitaliy
popup.rada
Taras Shevchenko National University of Kyiv
Description
Дисертація присвячена дослідженню впливу ультразвукового навантаження та опромінення (гамма-кванти, нейтрони) на протікання струму в структурах із p-n-переходом (Si) та контактом Шотткі (Si, GaAs). У кремнієвих сонячних елементах, у тому числі опромінених, виявлено акусто--індуковане зменшення часу життя носіїв заряду, оборотне при кімнатних температурах. Для пояснення виявлених ефектів запропоновано модель акустоактивного комплексного точкового рекомбінаційного центру. Показано, що акустоактивними радіаційними дефектами в кремнії є дивакансія та А-центр. Проведено порівняльний аналіз аналітичних, чисельних та еволюційних методів визначення параметрів діодів Шотткі та визначено найоптимальніші з них з погляду точності та швидкодії. В структурах Al-n-n+-Si встановлено взаємозв'язок між характером зміни висоти бар'єру Шотткі при збільшенні дози гамм-квантів та ступенем неоднорідності контакту. В структурах кремній-метал виявлено оборотній вплив ультразвука на висоту бар'єру та величину зворотного струму та показано, що він зумовлений рухом дислокаційних перегинів і зміною розмірів кластерів дефектів. Встановлено, що вплив мікрохвильового опромінення на дефектну структуру приповерхневого шару монокристалів GaAs і SiC та епітаксійних структур GaAs викликаний зростанням концентрації міжвузольних атомів. Виявлено, що ультразвукова обробка здатна підвищувати однорідність параметрів арсенід-ґалієвих діодів Шотткі та модифікувати концентрацію і енергетичний спектр радіаційно-індукованих пасток на інтерфейсі системи Si-SiO2.
Registration Date
2018-09-18
popup.nrat_date
2020-04-03 / 2026-06-29
