Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0518U000730, Докторська дисертація На здобуття Доктор фізико-математичних наук Дата захисту 17-09-2018 Статус Запланована Назва роботи Акусто- та радіаційно-індуковані явища в поверхнево-бар'єрних кремнієвих та арсенід-ґалієвих структурах Здобувач Оліх Олег Ярославович, Кандидат фізико-математичних наук Керівник Оліх Олег Ярославович Консультант Оліх Олег Ярославович Опонент Татаренко Валентин Андрійович Опонент Неймаш Володимир Борисович Опонент Тартачник Володимир Петрович Опонент Костильов Віталій Петрович Опис Дисертація присвячена дослідженню впливу ультразвукового навантаження та опромінення (гамма-кванти, нейтрони) на протікання струму в структурах із p-n-переходом (Si) та контактом Шотткі (Si, GaAs). У кремнієвих сонячних елементах, у тому числі опромінених, виявлено акусто--індуковане зменшення часу життя носіїв заряду, оборотне при кімнатних температурах. Для пояснення виявлених ефектів запропоновано модель акустоактивного комплексного точкового рекомбінаційного центру. Показано, що акустоактивними радіаційними дефектами в кремнії є дивакансія та А-центр. Проведено порівняльний аналіз аналітичних, чисельних та еволюційних методів визначення параметрів діодів Шотткі та визначено найоптимальніші з них з погляду точності та швидкодії. В структурах Al-n-n+-Si встановлено взаємозв'язок між характером зміни висоти бар'єру Шотткі при збільшенні дози гамм-квантів та ступенем неоднорідності контакту. В структурах кремній-метал виявлено оборотній вплив ультразвука на висоту бар'єру та величину зворотного струму та показано, що він зумовлений рухом дислокаційних перегинів і зміною розмірів кластерів дефектів. Встановлено, що вплив мікрохвильового опромінення на дефектну структуру приповерхневого шару монокристалів GaAs і SiC та епітаксійних структур GaAs викликаний зростанням концентрації міжвузольних атомів. Виявлено, що ультразвукова обробка здатна підвищувати однорідність параметрів арсенід-ґалієвих діодів Шотткі та модифікувати концентрацію і енергетичний спектр радіаційно-індукованих пасток на інтерфейсі системи Si-SiO2. Дата реєстрації 2018-09-17 Додано в НРАТ 2020-04-03 Закрити