Реєстраційний номер
0518U000730, Докторська дисертація
На здобуття
Доктор фізико-математичних наук
Дата захисту
17-09-2018
Статус
Захищена
Назва роботи
Акусто- та радіаційно-індуковані явища в поверхнево-бар'єрних кремнієвих та арсенід-ґалієвих структурах
Здобувач
Оліх Олег Ярославович, Кандидат фізико-математичних наук
Керівник Оліх Олег Ярославович
Консультант Оліх Олег Ярославович
Опонент Татаренко Валентин Андрійович
Опонент Неймаш Володимир Борисович
Опонент Тартачник Володимир Петрович
Опонент Костильов Віталій Петрович
Установа, організація, у вченій раді якої відбудеться/відбувся захист
Київський національний університет імені Тараса Шевченка
Опис
Дисертація присвячена дослідженню впливу ультразвукового навантаження та опромінення (гамма-кванти, нейтрони) на протікання струму в структурах із p-n-переходом (Si) та контактом Шотткі (Si, GaAs). У кремнієвих сонячних елементах, у тому числі опромінених, виявлено акусто--індуковане зменшення часу життя носіїв заряду, оборотне при кімнатних температурах. Для пояснення виявлених ефектів запропоновано модель акустоактивного комплексного точкового рекомбінаційного центру. Показано, що акустоактивними радіаційними дефектами в кремнії є дивакансія та А-центр. Проведено порівняльний аналіз аналітичних, чисельних та еволюційних методів визначення параметрів діодів Шотткі та визначено найоптимальніші з них з погляду точності та швидкодії. В структурах Al-n-n+-Si встановлено взаємозв'язок між характером зміни висоти бар'єру Шотткі при збільшенні дози гамм-квантів та ступенем неоднорідності контакту. В структурах кремній-метал виявлено оборотній вплив ультразвука на висоту бар'єру та величину зворотного струму та показано, що він зумовлений рухом дислокаційних перегинів і зміною розмірів кластерів дефектів. Встановлено, що вплив мікрохвильового опромінення на дефектну структуру приповерхневого шару монокристалів GaAs і SiC та епітаксійних структур GaAs викликаний зростанням концентрації міжвузольних атомів. Виявлено, що ультразвукова обробка здатна підвищувати однорідність параметрів арсенід-ґалієвих діодів Шотткі та модифікувати концентрацію і енергетичний спектр радіаційно-індукованих пасток на інтерфейсі системи Si-SiO2.
Дата реєстрації
2018-09-18
Додано/оновлено в НРАТ
2020-04-03 / 2026-06-29
