Registration Number
0595U000324, Doctoral dissertation
Status
д.ф.-м.н.
Date
27-10-1995
popup.evolution
.
Title
Author
Прокопенко Игорь Васильевич,
popup.opponent Молодкин В.Б.
popup.opponent Сальков Е.А.
popup.opponent Григорьев О.М.
popup.rada
Description
Объект исследования: Полупроводниковые монокристаллы и эпитаксиальные системы. Цель исследования: Определение параметров структурного совершенства. Методы исследования и аппаратура: Измерение параметров кривых дифракционного отражения рентгеновских лучей, УРС-50И, ДРОН-3М, УРС-2,0. Теоретические результаты и новизна: Теоретический анализ аномального поведения параметров кривой дифракционного отражения - впервые. Практические результаты и новизна: Разработаны методы построения картограмм упругих дисторсий атомных плоскостей и плотности дефектов в полупроводниковых монокристаллах при анализе фриделевских пар отражения рентгеновских лучей - впервые. Предмет и степень внедрения: Структурные изменения в полупроводниковом материале при технологических обработках - выборочный контроль. Эффективность внедрения: Установлено влияние технологических обработок на электрофизические параметры СВЧ-транзисторов и диодов в зависимости от плотности дефектов. Сфера (область) использования: Контроль технологических параметров материалов и приборов.
Registration Date
1998-10-30
popup.nrat_date
2020-05-18 / 2026-06-30
