Реєстраційний номер
0595U000324, Докторська дисертація
На здобуття
д.ф.-м.н.
Дата захисту
27-10-1995
Статус
Захищена
Назва роботи
Деформационные поля в полупроводниковых монокристаллах и эпитаксиальных системах при динамическом рассеянии рентгеновских лучей
Здобувач
Прокопенко Игорь Васильевич,
Опонент Молодкин В.Б.
Опонент Сальков Е.А.
Опонент Григорьев О.М.
Установа, організація, у вченій раді якої відбудеться/відбувся захист
Научно-производственный центр "Пролог"
Опис
Объект исследования: Полупроводниковые монокристаллы и эпитаксиальные системы. Цель исследования: Определение параметров структурного совершенства. Методы исследования и аппаратура: Измерение параметров кривых дифракционного отражения рентгеновских лучей, УРС-50И, ДРОН-3М, УРС-2,0. Теоретические результаты и новизна: Теоретический анализ аномального поведения параметров кривой дифракционного отражения - впервые. Практические результаты и новизна: Разработаны методы построения картограмм упругих дисторсий атомных плоскостей и плотности дефектов в полупроводниковых монокристаллах при анализе фриделевских пар отражения рентгеновских лучей - впервые. Предмет и степень внедрения: Структурные изменения в полупроводниковом материале при технологических обработках - выборочный контроль. Эффективность внедрения: Установлено влияние технологических обработок на электрофизические параметры СВЧ-транзисторов и диодов в зависимости от плотности дефектов. Сфера (область) использования: Контроль технологических параметров материалов и приборов.
Дата реєстрації
1998-10-30
Додано/оновлено в НРАТ
2020-05-18 / 2026-06-30
