Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0595U000324, Докторська дисертація На здобуття д.ф.-м.н. Дата захисту 27-10-1995 Статус Запланована Назва роботи Деформационные поля в полупроводниковых монокристаллах и эпитаксиальных системах при динамическом рассеянии рентгеновских лучей Здобувач Прокопенко Игорь Васильевич, Опонент Молодкин В.Б. Опонент Сальков Е.А. Опонент Григорьев О.М. Опис Объект исследования: Полупроводниковые монокристаллы и эпитаксиальные системы. Цель исследования: Определение параметров структурного совершенства. Методы исследования и аппаратура: Измерение параметров кривых дифракционного отражения рентгеновских лучей, УРС-50И, ДРОН-3М, УРС-2,0. Теоретические результаты и новизна: Теоретический анализ аномального поведения параметров кривой дифракционного отражения - впервые. Практические результаты и новизна: Разработаны методы построения картограмм упругих дисторсий атомных плоскостей и плотности дефектов в полупроводниковых монокристаллах при анализе фриделевских пар отражения рентгеновских лучей - впервые. Предмет и степень внедрения: Структурные изменения в полупроводниковом материале при технологических обработках - выборочный контроль. Эффективность внедрения: Установлено влияние технологических обработок на электрофизические параметры СВЧ-транзисторов и диодов в зависимости от плотности дефектов. Сфера (область) использования: Контроль технологических параметров материалов и приборов. Дата реєстрації 1995-10-27 Додано в НРАТ 2020-05-17 Закрити