Search academic texts

Information × Registration Number 0824U003508, PhD dissertation Status Доктор філософії Date 14-06-2023 popup.evolution . Title Properties of materials for resistive random-access memory Author Denys V. Zalevskyi, popup.head Ruslana M. Balabai popup.opponent Євген Я. Глушко popup.opponent Bohdan M. Markovych popup.review Andriy V. Voznyak popup.review Ihor V. Bilynskyi Description Дисертація присвячена дослідженню матеріалів для робочого шару комірок резистивної пам’яті з довільним доступом (RRAM), виконаного методами функціоналу електронної густини та псевдопотенціалу. RRAM має перевагу у вигляді доступу до окремої комірки, але для масштабного впровадження потрібно вирішити низку технологічних завдань. Досліджено матеріали, зокрема: • SiₓGe₁₋ₓ з дислокаціями, заповненими сріблом: трансформація таких плівок значно змінює їх електронні властивості, дозволяючи реалізувати перемикання між станами «встановити» і «скинути». Напруга перемикання становить 0,2 еВ. • HfOₓ із кисневими вакансіями, заповненими сріблом: введення вакансій різко знижує опір плівки. • ZnO з кисневими вакансійними нитками: збільшення густини вакансій формує внутрішнє електричне поле, що підсилює провідний ефект. • Sb₂GеₓTe₃₋ₓ (x=0,1,2): додавання Ge змінює ширину забороненої зони, впливаючи на провідні властивості. Інженерія дефектів забороненої зони (дивакансії, нанодроти) є основним механізмом перемикання. Робота поглиблює розуміння таких процесів, відкриваючи нові можливості для RRAM. Registration Date 2024-12-10 popup.nrat_date 2024-12-10 Close