Registration Number
0824U003508, PhD dissertation
Status
Доктор філософії
Date
14-06-2023
popup.evolution
.
Title
Properties of materials for resistive random-access memory
Author
Denys V. Zalevskyi,
popup.head Ruslana M. Balabai
popup.opponent Євген Я. Глушко
popup.opponent Bohdan M. Markovych
popup.review Andriy V. Voznyak
popup.review Ihor V. Bilynskyi
popup.rada
Kryvyi Rih State Pedagogical University
Description
Дисертація присвячена дослідженню матеріалів для робочого шару комірок резистивної пам’яті з довільним доступом (RRAM), виконаного методами функціоналу електронної густини та псевдопотенціалу. RRAM має перевагу у вигляді доступу до окремої комірки, але для масштабного впровадження потрібно вирішити низку технологічних завдань.
Досліджено матеріали, зокрема:
• SiₓGe₁₋ₓ з дислокаціями, заповненими сріблом: трансформація таких плівок значно змінює їх електронні властивості, дозволяючи реалізувати перемикання між станами «встановити» і «скинути». Напруга перемикання становить 0,2 еВ.
• HfOₓ із кисневими вакансіями, заповненими сріблом: введення вакансій різко знижує опір плівки.
• ZnO з кисневими вакансійними нитками: збільшення густини вакансій формує внутрішнє електричне поле, що підсилює провідний ефект.
• Sb₂GеₓTe₃₋ₓ (x=0,1,2): додавання Ge змінює ширину забороненої зони, впливаючи на провідні властивості.
Інженерія дефектів забороненої зони (дивакансії, нанодроти) є основним механізмом перемикання. Робота поглиблює розуміння таких процесів, відкриваючи нові можливості для RRAM.
Registration Date
2024-12-10
popup.nrat_date
2024-12-10 / 2026-07-01
