Реєстраційний номер
0824U003508, Дисертація доктора філософії
На здобуття
Доктор філософії
Дата захисту
14-06-2023
Статус
Захищена
Назва роботи
Властивості матеріалів для резистивної пам’яті з довільним доступом
Здобувач
Залевський Денис Віталійович,
Керівник Балабай Руслана Михайлівна
Опонент Глушко Євген Якович
Опонент Маркович Богдан Михайлович
Рецензент Возняк Андрій Васильович
Рецензент Білинський Ігор Васильович
Установа, організація, у вченій раді якої відбудеться/відбувся захист
Криворізький державний педагогічний університет
Опис
Дисертація присвячена дослідженню матеріалів для робочого шару комірок резистивної пам’яті з довільним доступом (RRAM), виконаного методами функціоналу електронної густини та псевдопотенціалу. RRAM має перевагу у вигляді доступу до окремої комірки, але для масштабного впровадження потрібно вирішити низку технологічних завдань.
Досліджено матеріали, зокрема:
• SiₓGe₁₋ₓ з дислокаціями, заповненими сріблом: трансформація таких плівок значно змінює їх електронні властивості, дозволяючи реалізувати перемикання між станами «встановити» і «скинути». Напруга перемикання становить 0,2 еВ.
• HfOₓ із кисневими вакансіями, заповненими сріблом: введення вакансій різко знижує опір плівки.
• ZnO з кисневими вакансійними нитками: збільшення густини вакансій формує внутрішнє електричне поле, що підсилює провідний ефект.
• Sb₂GеₓTe₃₋ₓ (x=0,1,2): додавання Ge змінює ширину забороненої зони, впливаючи на провідні властивості.
Інженерія дефектів забороненої зони (дивакансії, нанодроти) є основним механізмом перемикання. Робота поглиблює розуміння таких процесів, відкриваючи нові можливості для RRAM.
Дата реєстрації
2024-12-10
Додано/оновлено в НРАТ
2024-12-10 / 2026-07-01
