Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0824U003508, Дисертація доктора філософії На здобуття Доктор філософії Дата захисту 14-06-2023 Статус Захищена Назва роботи Властивості матеріалів для резистивної пам’яті з довільним доступом Здобувач Залевський Денис Віталійович, Керівник Балабай Руслана Михайлівна Опонент Глушко Євген Якович Опонент Маркович Богдан Михайлович Рецензент Возняк Андрій Васильович Рецензент Білинський Ігор Васильович Опис Дисертація присвячена дослідженню матеріалів для робочого шару комірок резистивної пам’яті з довільним доступом (RRAM), виконаного методами функціоналу електронної густини та псевдопотенціалу. RRAM має перевагу у вигляді доступу до окремої комірки, але для масштабного впровадження потрібно вирішити низку технологічних завдань. Досліджено матеріали, зокрема: • SiₓGe₁₋ₓ з дислокаціями, заповненими сріблом: трансформація таких плівок значно змінює їх електронні властивості, дозволяючи реалізувати перемикання між станами «встановити» і «скинути». Напруга перемикання становить 0,2 еВ. • HfOₓ із кисневими вакансіями, заповненими сріблом: введення вакансій різко знижує опір плівки. • ZnO з кисневими вакансійними нитками: збільшення густини вакансій формує внутрішнє електричне поле, що підсилює провідний ефект. • Sb₂GеₓTe₃₋ₓ (x=0,1,2): додавання Ge змінює ширину забороненої зони, впливаючи на провідні властивості. Інженерія дефектів забороненої зони (дивакансії, нанодроти) є основним механізмом перемикання. Робота поглиблює розуміння таких процесів, відкриваючи нові можливості для RRAM. Дата реєстрації 2024-12-10 Додано в НРАТ 2024-12-10 Закрити