Search academic texts

Information × Registration Number 0825U004006, PhD dissertation Status Доктор філософії Date 24-11-2025 popup.evolution o Title Photoelectric phenomena in silicon planar n+-p-p+- structures and physical and technical aspects of manufacturing photodiodes based on them. Author Mykola Kukurudziak, popup.head Eduard V. Maistruk popup.opponent Volodymyr G. Verbytskyi popup.opponent Anatoliy A. Evtukh popup.review Petro M. Shpatar popup.review Ivan Orletskiy Description Дисертація присвячена комплексному дослідженню фотоелектричних властивостей кремнієвих планарних n+-p-p+ - структур та розробці рекомендацій по вдосконаленню p-i-n фотодіодів на основі встановлених нових фізичних явищ та закономірностей. В дисертації досліджено вплив електрофізичних характеристик кремнію та концентрації домішок в легованих шарах на фотоелектричні параметри фотоприймачів. На основі визначених фізичних причин дефектоутворень на поверхні та в об’ємі структур, запропоновано ряд нових методів зниження густини кристалографічних дефектів. У дисертаційній роботі представлено нові підходи до проектування на виготовлення p-i-n фотодіодів на основі встановлених закономірностей щодо фотоелектричних властивостей кремнієвих планарних n+-p-p+ - структур, які характеризуються науковою новизною. Розроблено інноваційні структури p-i-n фотодіодів із підвищеним опором ізоляції активних елементів, фоточутливістю та детективністю при мінімальних значеннях темнових струмів. Актуальність роботи полягає в широкому застосуванні досліджуваних структур та фотоприймачів на їх основі у сучасних технологіях, де важлива висока чутливість, швидкість відгуку та ефективність перетворення світлових сигналів в електричні. Registration Date 2025-11-03 popup.nrat_date 2025-11-03 Close