Registration Number
0825U004006, PhD dissertation
Status
Доктор філософії
Date
24-11-2025
popup.evolution
o
Title
Photoelectric phenomena in silicon planar n+-p-p+- structures
and physical and technical aspects of manufacturing photodiodes based on them.
Author
Mykola Kukurudziak,
popup.head Eduard V. Maistruk
popup.opponent Volodymyr G. Verbytskyi
popup.opponent Anatoliy A. Evtukh
popup.review Petro M. Shpatar
popup.review Ivan Orletskiy
popup.rada
Yuriy Fedkovych Chernivtsi National University
Description
Дисертація присвячена комплексному дослідженню фотоелектричних властивостей кремнієвих планарних n+-p-p+ - структур та розробці рекомендацій по вдосконаленню p-i-n фотодіодів на основі встановлених нових фізичних явищ та закономірностей. В дисертації досліджено вплив електрофізичних характеристик кремнію та концентрації домішок в легованих шарах на фотоелектричні параметри фотоприймачів. На основі визначених фізичних причин дефектоутворень на поверхні та в об’ємі структур, запропоновано ряд нових методів зниження густини кристалографічних дефектів. У дисертаційній роботі представлено нові підходи до проектування на виготовлення p-i-n фотодіодів на основі встановлених закономірностей щодо фотоелектричних властивостей кремнієвих планарних n+-p-p+ - структур, які характеризуються науковою новизною. Розроблено інноваційні структури p-i-n фотодіодів із підвищеним опором ізоляції активних елементів, фоточутливістю та детективністю при мінімальних значеннях темнових струмів. Актуальність роботи полягає в широкому застосуванні досліджуваних структур та фотоприймачів на їх основі у сучасних технологіях, де важлива висока чутливість, швидкість відгуку та ефективність перетворення світлових сигналів в електричні.
Registration Date
2025-11-03
popup.nrat_date
2025-11-03 / 2026-07-01
