Реєстраційний номер
0825U004006, Дисертація доктора філософії
На здобуття
Доктор філософії
Дата захисту
24-11-2025
Статус
Наказ про видачу диплома
Назва роботи
Фотоелектричні явища в кремнієвих планарних n+-p-p+ - структурах та фізико-технічні аспекти виготовлення фотодіодів на їх основі
Здобувач
Кукурудзяк Микола Степанович,
Керівник Майструк Едуард Васильович
Опонент Вербицький Володимир Григорович
Опонент Євтух Анатолій Анатолійович
Рецензент Шпатар Петро Михайлович
Рецензент Орлецький Іван Григорович
Установа, організація, у вченій раді якої відбудеться/відбувся захист
Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича
Опис
Дисертація присвячена комплексному дослідженню фотоелектричних властивостей кремнієвих планарних n+-p-p+ - структур та розробці рекомендацій по вдосконаленню p-i-n фотодіодів на основі встановлених нових фізичних явищ та закономірностей. В дисертації досліджено вплив електрофізичних характеристик кремнію та концентрації домішок в легованих шарах на фотоелектричні параметри фотоприймачів. На основі визначених фізичних причин дефектоутворень на поверхні та в об’ємі структур, запропоновано ряд нових методів зниження густини кристалографічних дефектів. У дисертаційній роботі представлено нові підходи до проектування на виготовлення p-i-n фотодіодів на основі встановлених закономірностей щодо фотоелектричних властивостей кремнієвих планарних n+-p-p+ - структур, які характеризуються науковою новизною. Розроблено інноваційні структури p-i-n фотодіодів із підвищеним опором ізоляції активних елементів, фоточутливістю та детективністю при мінімальних значеннях темнових струмів. Актуальність роботи полягає в широкому застосуванні досліджуваних структур та фотоприймачів на їх основі у сучасних технологіях, де важлива висока чутливість, швидкість відгуку та ефективність перетворення світлових сигналів в електричні.
Дата реєстрації
2025-11-03
Додано/оновлено в НРАТ
2025-11-03 / 2026-07-01
