Registration Number
2117U009575, Article
popup.category
Тези
Title
Mathematical model of physical processes in the channel of a MOS transistor under temperature exposure taking into account gate bias voltage
popup.author
Осадчук В. С.
Павлик Б. С.
Осадчук Я. О.
Кравчук Н. С.
Osadchuk V. S.
Pavlyk B. S.
Osadchuk Ya. O.
Kravchuk N. S.
popup.publication
19-02-2017
popup.source_user
Вінницький національний технічний університет
popup.source
http://ir.lib.vntu.edu.ua/handle/123456789/14223
popup.publisher
Sp. zo. o "Nauka i studia"
Description
Використання двозатворного польового транзистора як первинного перетворювача температури в автогенераторному сенсорі температури з частот ним виходом стимулює дослідження термоіндукованих змін параметрів МДН структур на малому змінному сигналі. Проте як свідчить аналіз літератури на сьогоднішній день недостатньо вивчені фізичні механізми впливу температури на «електронно-діркову» плазму в поверхневому шарі просторового заряду, зідсутній аналітичний опис залежності активної і реактивної складових імпедансу каналу від температури навколишнього середовища. З появою двозатворних МДН структур ці питання набули ще більшої актуальності, оскільки зазначені структури мають широкі функціональні можливості в порівнянні з однозатворними. Розгляду цих питань присвячена дана стаття.
popup.nrat_date
2026-10-30
