Реєстраційний номер
2117U009575, Матеріали видань та локальних репозитаріїв
Категорія
Тези
Назва роботи
Математична модель фізичних процесів у каналі МДН транзистора при дії температури з урахуванням напруги зміщення на затворі
Автор
Осадчук В. С.
Павлик Б. С.
Осадчук Я. О.
Кравчук Н. С.
Osadchuk V. S.
Pavlyk B. S.
Osadchuk Ya. O.
Kravchuk N. S.
Дата публікації
19-02-2017
Постачальник інформації
Вінницький національний технічний університет
Першоджерело
http://ir.lib.vntu.edu.ua/handle/123456789/14223
Видання
Sp. zo. o "Nauka i studia"
Опис
Використання двозатворного польового транзистора як первинного перетворювача температури в автогенераторному сенсорі температури з частот ним виходом стимулює дослідження термоіндукованих змін параметрів МДН структур на малому змінному сигналі. Проте як свідчить аналіз літератури на сьогоднішній день недостатньо вивчені фізичні механізми впливу температури на «електронно-діркову» плазму в поверхневому шарі просторового заряду, зідсутній аналітичний опис залежності активної і реактивної складових імпедансу каналу від температури навколишнього середовища. З появою двозатворних МДН структур ці питання набули ще більшої актуальності, оскільки зазначені структури мають широкі функціональні можливості в порівнянні з однозатворними. Розгляду цих питань присвячена дана стаття.
Додано/оновлено в НРАТ
2026-10-30
