Registration Number
2120U011735, Article
popup.category
Стаття
Title
Research of reactive properties of tunnel resonance diodes
popup.author
Осадчук О. В.
Осадчук В. С.
Осадчук Я. О.
Osadchuk A. V.
Osadchuk V. S.
Osadchuk I. A.
Osadchuk A. V.
Osadchuk V. S.
Osadchuk I. A.
popup.publication
01-01-2020
popup.source_user
Вінницький національний технічний університет
popup.source
http://ir.lib.vntu.edu.ua/handle/123456789/34173
popup.publisher
Хмельницький національний університет
Description
На основі розгляду фізичних процесів у тунельно-резонансному діоді визначено аналітичні формули ємності та індуктивності, які залежать як від технологічних параметрів, так і від режиму роботи. Показано, що ємність діода змінюється від 1,99·10-18 Ф до 1,97·10-18 Ф від напруги на спадній ділянці вольт-амперної характеристики, а зміна величини індуктивності в діапазоні від 0,5·10-13 Гн до 2,75·10-13 Гн. Індуктивність тунельно-резонансного діода зв`язана з кінцевою швидкістю руху електронів і вона завжди існує в діоді за будьяких умов. Це пояснюється тим, що напруга на емітері, яка викликала рух електронів через прилад, випереджає струм, тобто струм завжди запізнюється по відношенню до напруги, що еквівалентно індуктивній реакції тунельно-резонансного діода. Власна резонансна частота на ділянці від`ємного диференційного опору змінюється від 5·1014 Гц до 3,3·1014 Гц. Резонансно-тунельні діоди можна використовувати як регульовані ємнісні та індуктивні елементи, причому їх добротність можна регулювати за рахунок від`ємного диференційного опору в інтервалах від 100 і більше.
popup.nrat_date
2026-11-02
