Реєстраційний номер
2120U011735, Матеріали видань та локальних репозитаріїв
Категорія
Стаття
Назва роботи
Дослідження реактивних властивостей тунельно-резонансного діода
Research of reactive properties of tunnel resonance diodes
Автор
Осадчук О. В.
Осадчук В. С.
Осадчук Я. О.
Osadchuk A. V.
Osadchuk V. S.
Osadchuk I. A.
Osadchuk A. V.
Osadchuk V. S.
Osadchuk I. A.
Дата публікації
01-01-2020
Постачальник інформації
Вінницький національний технічний університет
Першоджерело
http://ir.lib.vntu.edu.ua/handle/123456789/34173
Видання
Хмельницький національний університет
Опис
На основі розгляду фізичних процесів у тунельно-резонансному діоді визначено аналітичні формули ємності та індуктивності, які залежать як від технологічних параметрів, так і від режиму роботи. Показано, що ємність діода змінюється від 1,99·10-18 Ф до 1,97·10-18 Ф від напруги на спадній ділянці вольт-амперної характеристики, а зміна величини індуктивності в діапазоні від 0,5·10-13 Гн до 2,75·10-13 Гн. Індуктивність тунельно-резонансного діода зв`язана з кінцевою швидкістю руху електронів і вона завжди існує в діоді за будьяких умов. Це пояснюється тим, що напруга на емітері, яка викликала рух електронів через прилад, випереджає струм, тобто струм завжди запізнюється по відношенню до напруги, що еквівалентно індуктивній реакції тунельно-резонансного діода. Власна резонансна частота на ділянці від`ємного диференційного опору змінюється від 5·1014 Гц до 3,3·1014 Гц. Резонансно-тунельні діоди можна використовувати як регульовані ємнісні та індуктивні елементи, причому їх добротність можна регулювати за рахунок від`ємного диференційного опору в інтервалах від 100 і більше.
Додано/оновлено в НРАТ
2026-11-02
