Знайдено документів: 7
Гайдар Г.П.. Залежність параметра анізотропії термо-ЕРС захоплення від концентрації домішок у кристалах n-Ge таn-Si : публікація 2024-09-08; Видавничий дім "Академперіодика", 2124U012613
Гайдар Г.П.. Зміна електрофізичних властивостей сильно легованих монокристалів n-Ge 〈As〉 під впливом термовідпалів : публікація 2024-05-15; Видавничий дім "Академперіодика", 2124U012452
Гайдар Г.П.. До методології визначення тензоопору n-Ge та n-Si у кристалографічних напрямках 〈110〉 : публікація 2024-04-21; Видавничий дім "Академперіодика", 2124U012266
Гайдар Г.П.. Особливості зміни структури й електрофізичних характеристик n-Si під впливом різних режимів термообробки : публікація 2024-03-28; Видавничий дім "Академперіодика", 2124U012094
Гайдар Г.П.. Деформаційні ефекти у кристалах германію діркової провідності : публікація 2023-07-11; Видавничий дім "Академперіодика", 2123U012160
Гайдар Г.П.. До методики визначення поперечного тензоопору в багатодолинних напівпровідниках : публікація 2022-05-10; Видавничий дім "Академперіодика", 2122U007753
Гайдар Г.П.. Ефекти впорядкування дефектної структури n-Si, індуковані великими флюенсами іонів МеВ-них енергій : публікація 2021-04-13; Видавничий дім "Академперіодика", 2121U009939
Знайдено документів: 7

Оновлено: 2026-11-08