Search academic texts

Head: TOMASHYK Vasyl M.. Development of the technology for restoration of germanium optical elements of thermal imaging devices for the repair of armored and aviation equipment. (popup.stage: Розробка методики використання пошкоджених германієвих елементів військової техніки як сировини для виготовлення нових елементів). V. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics of National Academy. № 0224U032666

Head: Melnyk Viktor P.. Creation of basic technologies for the formation of semiconductor materials and structures for Nano - and optoelectronics. (popup.stage: Створення базових технологій формування напівпровідникових матеріалів і структур для нано- та оптоелектроніки). V. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics of National Academy. № 0224U002739

Head: Chudinovych Olha V.. Creation of promising ZnO-doped REE-based materials for use in catalysis. (popup.stage: Дослідження особливостей структури, мікроструктури, фотолюмінесценції та фотокаталітичної активності відібраних систем. Узагальнення результатів досліджень фотокаталітичних матеріалів.). Frantsevich Institute for Problems of Materials Science National Academy of Science of Ukraine. № 0223U005375

Head: Ivahnenko Serhii O.. Development of new compositions of carbon solvents for the cultivation of diamond single crystals in the field of thermodynamic stability with a controlled content of nitrogen and boron impurities in order to create conceptual designs of electronic devices. (popup.stage: Розробка нових складів розчинників вуглецю для вирощування монокристалів алмазу в області термодинамічної стабільності з контрольованим вмістом домішок азоту і бору з метою створення концепційних конструкцій електронних приладів). V. Bakul Institute of superhard material of the National Academy of Sciences of Ukraine. № 0223U004923

Head: Strelchuk Viktor V.. Development of selection criteria for single-sector HPHT-diamond plates synthesized using new compositions of carbon solvents, for their use in Schottky diodes and heat sink substrates, substantiation of their design and physical principles of operation.. (popup.stage: ). VE Lashkarev Institute of Semiconductor Physics of the National Academy of Sciences of Ukraine. № 0223U004724

Head: Myroniuk Denys V.. Creation of effective photocatalytic materials based on ZnO-Cd system for water purification from organic pollutants. (popup.stage: ). Institute of Problems of Materials Science named after IM Frantsevich of the National Academy of Sciences of Ukraine. № 0223U000068

Head: Chudinovych Olha V.. Creation of promising ZnO-doped REE-based materials for use in catalysis. (popup.stage: Отримання плівок, нанопорошків на основі оксиду цинку з різним вмістом РЗЕ. Дослідження структури, оптичних властивостей та фотокаталітичної активності отриманих зразків. Встановлення взаємозв'язку між умовами отримання плівок, нанопорошків ZnO-РЗЕ, їх морфологією, оптичними властивостями та фотокаталітичною ефективністю). Frantsevich Institute for Problems of Materials Science National Academy of Science of Ukraine. № 0222U005375

Head: Myroniuk Denys V.. Creation of effective photocatalytic materials based on ZnO-Cd system for water purification from organic pollutants. (popup.stage: ). Institute of Problems of Materials Science named after IM Frantsevich of the National Academy of Sciences of Ukraine. № 0222U001049

Head: Strelchuk Viktor V.. Development of selection criteria for single-sector HPHT-diamond plates synthesized using new compositions of carbon solvents, for their use in Schottky diodes and heat sink substrates, substantiation of their design and physical principles of operation.. (popup.stage: ). VE Lashkarev Institute of Semiconductor Physics of the National Academy of Sciences of Ukraine. № 0222U000192

Head: Strelchuk Viktor V.. Development of selection criteria for single-sector HPHT-diamond plates synthesized using new compositions of carbon solvents, for their use in Schottky diodes and heat sink substrates, substantiation of their design and physical principles of operation.. (popup.stage: ). VE Lashkarev Institute of Semiconductor Physics of the National Academy of Sciences of Ukraine. № 0220U104204