Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0223U004724, 0120U104992 , Науково-дослідна робота Назва роботи Розробка критеріїв відбору односекторних пластин HPHT-алмазу, синтезованих з використанням нових складів розчинників вуглецю, для їх використання в діодах Шотткі і підкладках тепловідводу, обґрунтування їх приладної архітектури і фізичних принципів функціонування. Назва етапу роботи Керівник роботи Стрельчук Віктор Васильович, Доктор фізико-математичних наук Дата реєстрації 30-11-2023 Організація виконавець Інститут фізики напівпровідників імені В. Є. Лашкарьова Національної академії наук України Опис етапу  Досліджено особливості процесів легування та дефектоутворення в різних секторах росту монокристалів алмазу з використанням оптичних і нанозондових фізичних методів. З використанням інфрачервоної Фур’є, раманівської та фотолюмінесцентної скануючої мікро-спектроскопії, провідної АСМ і електронної мікроскопії, масс-спектрометрії вторинних іонів розроблено та апробовано методи візуалізації фізичних параметрів для різних односекторних зон росту синтезованих монокристалів HPHT-алмазу. Вивчено структурну якість, дефектно-домішковий склад, морфологію поверхні та електрофізичні параметри монокристалів НРНТ-алмазу оптичними і нанозондовими методами. Досліджено структурні, морфологічні та електрофізичні властивості СVD алмазних плівок, в тому числі вирощених на підкладках HPHT-алмазу. Визначено просторовий розподіл структурної якості, величин концентрації домішок та дефектів в синтезованих монокристалах та пластинах HPHT-алмазу в залежності від технологічних режимів їх вирощування. Методами температурно-залежної раманівської спектроскопії та нестаціонарних вимірювань теплопровідності досліджено теплофізичні властивості синтезованих монокристалів та пластин HPHT-алмазу. Обґрунтовано дизайн та оптимізовано структуру діодів Шотткі на основі пластин НРНТ-алмазу, розроблено та відпрацьовано технологію нанесення електричних омічних контактів та бар’єрів Шотткі, досліджено та проаналізовано електрофізичні характеристики виготовлених приладних структур діодів Шотткі. Проведено узагальнення отриманих результатів щодо ефективності роботи та перспективи застосування діодів Шотткі та підкладок тепловідводу на основі монокристалів НРНТ-алмазу високої структурної досконалості з контрольованим дефектно-домішковим складом та обґрунтовано методичні основи для розробки пасивних і активних елементів електронних приладів на їх основі. Опис продукції Автори роботи Даниленко Ігор Миколайович Малюта Сергій Васильович Ніколенко Андрій Сергійович Стубров Юрій Юрійович Додано в НРАТ 2023-11-30 Закрити