Search academic texts

Head: Mazur Nazar V.. Development of a technique for detecting explosive materials based on the methods of SERS spectroscopy and localized surface plasmon resonance. (popup.stage: Синтез наночастинок шляхетних металів (золота, срібла)різної форми/розміру для використання у якості підкладок, та комбінування колоїдних НЧ металу з підкладками, отриманими термічним напиленням, для підсилення дії ефектів НЧ та SERS-підкладок. Аналіз ефективності даних методів на основі отриманих ППРС та ЛППР спектрів). V. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics of National Academy. № 0225U004735

Head: Yukhymchuk Volodymyr O.. Deformation engineering of the electronic structure of GeSn thin films for new generation IR optoelectronics. (popup.stage: Розробка методики формування GeSn плівок на Si та Ge підкладки методом іонної імплантації). V. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics of National Academy. № 0225U004320

Head: Valakh Mykhailo Ya.. Nanocrystals of multicomponent chalcogenides of Cu2ZnSnS4 type with cationic substitution and surface modification for thin-film photovoltaics.. (popup.stage: Дослідження нанокристалів багатокомпонентних халькогенідів типу Cu2ZnSnS4 iз катіонним заміщенням і модифікацією поверхні для тонкоплівкової фотовольтаїки). V. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics of National Academy. № 0225U002665

Head: Mazur Nazar V.. Development of a technique for detecting explosive materials based on the methods of SERS spectroscopy and localized surface plasmon resonance. (popup.stage: Виготовлення та комплексна характеризація ППРС-підкладок та МІП-підкладок, з наноструктурованою морфологією поверхні, шляхом формування на гладкій підкладці скла чи кремнію саморганізованих шарів наносфер діоксиду кремнію. Напилення тонких шарів золота/срібла на дані підкладки. Аналіз ППРС та ЛППР спектрів вибухонебезпечних речовин, нанесених на дані підкладки). V. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics of National Academy. № 0224U033241

Head: Yukhymchuk Volodymyr O.. Deformation engineering of the electronic structure of GeSn thin films for new generation IR optoelectronics. (popup.stage: Розробка методики магнетронного осадження GeSn плівок на Si та Ge підкладки при варіюванні в них вмісту Sn). V. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics of National Academy. № 0224U032996

Head: Mazur Nazar V.. Development of a technique for detecting explosive materials based on the methods of SERS spectroscopy and localized surface plasmon resonance. V. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics of National Academy. № 0124U002059

Head: Melnyk Viktor P.. Creation of basic technologies for the formation of semiconductor materials and structures for Nano - and optoelectronics. (popup.stage: Створення базових технологій формування напівпровідникових матеріалів і структур для нано- та оптоелектроніки). V. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics of National Academy. № 0224U002739

Head: Dzhahan Volodymyr M.. New mechanisms of interaction of plasmonic nanoparticles with potential-dependent ion channels of cells. (popup.stage: ). V. Lashkarev Institute of Semiconductor Physics of National Academy of Sciences of Ukraine. № 0223U005885

Head: Dzhahan Volodymyr M.. Advanced SERS-based nanoplatform for efficient detection of biomolecules and pathogens. (popup.stage: Гібридні SERS-підкладки з додаванням колоїдних НЧ золота або срібла. Мультиплексні SERS-підкладки. Оптимізація мультиплексної SERS-підкладки. SERS-toolkit – SERS-мульти-підкладки типу "4-в-1" або "6-в-1"). V. Lashkarev Institute of Semiconductor Physics of National Academy of Sciences of Ukraine. № 0223U005600

Head: Hreshchuk Oleksandr M.. Investigation of ultrathin chalcogenide films by surface-enhanced Raman spectroscopy. (popup.stage: ). VE Lashkarev Institute of Semiconductor Physics of the National Academy of Sciences of Ukraine. № 0223U000662