Пошук академічних текстів

Керівник: Сизов Федір Федорович. Напівпровідникові низьковимірні та нанорозмірні структури для ТГц детектування. (Етап: Розробка конструкції польових транзисторів на основі планарних квантових ям CdхHg1-хТe для детектування ТГц випромінювання, а також графенових 2D шарів. Виготовлення діодів Шотткі, повнофункціональних фотоприймачів з нанорозмірними елементами та їх метрологія. Відпрацювання процесу біофункціоналізції прототипів сенсорів для систем біорозпізнавання.). Інститут фізики напівпровідників імені В. Є. Лашкарьова Національної академії наук України. № 0225U002784

Керівник: Руденко Едуард Михайлович. Створення діелектричних наноструктурованих композитних покриттів на основі сполук Al і Mg на гнучких інертних термолабільних підкладках з підвищеною адгезією для зменшення теплового випромінювання елементів БпЛА в широкому ІЧ-спектральному діапазоні. (Етап: Створення діелектричних наноструктурованих композитних покриттів на основі сполук Al і Mg на гнучких інертних термолабільних підкладках з підвищеною адгезією для зменшення теплового випромінювання елементів БпЛА в широкому ІЧ-спектральному діапазоні). Інститут металофізики ім. Г. В. Курдюмова Національної академії наук України. № 0225U000915

Керівник: Валах Михайло Якович. Розробка технології елементної бази сучасної інфрачервоної фотоелектроніки. (Етап: Розробка технології елементної бази сучасної інфрачервоної фото електроніки). Інститут фізики напівпровідників імені В. Є. Лашкарьова Національної академії наук України. № 0225U000735

Керівник: Мельник Віктор Павлович. Створення базових технологій формування напівпровідникових матеріалів і структур для нано- та оптоелектроніки. (Етап: Створення базових технологій формування напівпровідникових матеріалів і структур для нано- та оптоелектроніки). Інститут фізики напівпровідників імені В. Є. Лашкарьова Національної академії наук України. № 0224U002739