Пошук академічних текстів

Реєстраційний номер

0217U000224, 0114U000677 , Науково-дослідна робота

Назва роботи

Розроблення і створення технологій вирощування наноструктурованих карбонованих матеріалів кремнію та карбіду кремнію для опто- і мікроелектронних приладів

Назва етапу роботи

Керівник роботи

Лисенко Володимир Сергійович,

Дата реєстрації

24-01-2017

Організація виконавець

Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України

Опис етапу

Проведено аналіз впливу потужності розряду та швидкості протоків газів-реагентів на характер міжатомних зв'язків та фотолюмінісцентні властивості. Показано, що як і у випадку використання мішені кремнію (див. звіт за 2015 р.) із зростанням вмісту вуглецю в плівках a-SiOC:H з'являється інтенсивна широкосмугова ФЛ. Показано що характерний час релаксації ФЛ складає одиниці і долі наносекунд. Встановлено, що час релаксації має спектральну дисперсію і зменшується із зменшенням довжини хвилі випромінювання. На основі аналізу спектрів ІЧ-поглинання та ІЧ-відбивання зроблено припущення, що структура приповерхневого шару в плівках a-SiOC:H має більш полімероподібний характер у порівнянні із структурою об'єму.

Опис продукції

Створення технологій вирощування наноструктурованих матеріалів на основі кремнію та вуглецю для оптоелектричних і мікроелектронних приладів.

Автори роботи

Васін Андрій Володимирович
Назаров Олексій Миколайович
Русавський Андрій Вадимович

Додано в НРАТ

2020-04-02