Реєстраційний номер
0217U000224,
0114U000677
, Науково-дослідна робота
Назва роботи
Розроблення і створення технологій вирощування наноструктурованих карбонованих матеріалів кремнію та карбіду кремнію для опто- і мікроелектронних приладів
Назва етапу роботи
Керівник роботи
Лисенко Володимир Сергійович,
Дата реєстрації
24-01-2017
Організація виконавець
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України
Опис етапу
Проведено аналіз впливу потужності розряду та швидкості протоків газів-реагентів на характер міжатомних зв'язків та фотолюмінісцентні властивості. Показано, що як і у випадку використання мішені кремнію (див. звіт за 2015 р.) із зростанням вмісту вуглецю в плівках a-SiOC:H з'являється інтенсивна широкосмугова ФЛ. Показано що характерний час релаксації ФЛ складає одиниці і долі наносекунд. Встановлено, що час релаксації має спектральну дисперсію і зменшується із зменшенням довжини хвилі випромінювання. На основі аналізу спектрів ІЧ-поглинання та ІЧ-відбивання зроблено припущення, що структура приповерхневого шару в плівках a-SiOC:H має більш полімероподібний характер у порівнянні із структурою об'єму.
Опис продукції
Створення технологій вирощування наноструктурованих матеріалів на основі кремнію та вуглецю для оптоелектричних і мікроелектронних приладів.
Автори роботи
Васін Андрій Володимирович
Назаров Олексій Миколайович
Русавський Андрій Вадимович
Додано/оновлено в НРАТ
2020-04-02
