Знайдено документів: 1
Інформація × Реєстраційний номер 0220U001028, 0117U001118 , Науково-дослідна робота Назва роботи Створення нанокомпозитів на основі напівпровідникових cполук рутению та кадмію для елементів ГІС і мікроелектронних сенсорів. Назва етапу роботи Керівник роботи Борщак Віталій Анатолійович, Дата реєстрації 10-02-2020 Організація виконавець Одеський національний університет імені І. І. Мечникова Опис етапу Були розроблені методи зниження деградаційних процесів композитних матеріалів і запропоновані методи підвищення стабілізації основних характеристик, варіювання і регулювання електрофізичними параметрами елементів гібридних інтегральних схем (ГІС) та мікроелектронних сенсорів (МЕС) оптичного та рентгенівського зображень на базі неідеальних гетеропереходів на базі нових наноструктурних, досліджень на сучасному обладнанні. Вперше були встановленіо залежності електрофізичних параметрів (ЕФП) плівкових елементів на основі нанодисперсних композитів "сполуки рутенію - діелектрична матриця" від дисперсності, співвідношення концентрацій вихідних компонентів, нанорозмірних структурно-фазових перетворень та температури відпалювання. Опис продукції Встановлено, що в якості основного склоутворюючого компоненту найкращі результати дає використання оксиду вісмуту, який надає можливість отримувати більш легкоплавкі стекла. Показано, що оксид Bi2O3 не взаємодіє з струмопровідними елементами ГІС і вводиться в склад скла як нейтральний в цьому відношенні матеріал. Він сприяє поліпшенню змочування і адгезії скла до підкладки. В створених стеклах з високим вмістом вісмуту Bi2O3 бере участь в побудові сітки у якості склоутворювача.В роботі одержана методика дослідження процесів склоутворення, кристалізації, а також вивчені фізико-хімічні властивості системи "SiO2-B2O3-Bi2O3-ZnO-MgO-CdO" при різних співвідношеннях концентрацій вихідних компонентів і легуючих домішок з метою вибору оптимальних складів стекол для резистивних, провідникових і діелектричних шарів товстоплівкових елементів ГІС, сонячних батарей, мікроелектронних сенсорів і ін. Автори роботи Бритавський Є.В. Будіянська Л.М. Карпенко А.О. Лавренова Т.І. Лепіх Я.І. Садова Н.М. Терещенко А.В. Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити
НДДКР ОК
Керівник: Борщак Віталій Анатолійович. Створення нанокомпозитів на основі напівпровідникових cполук рутению та кадмію для елементів ГІС і мікроелектронних сенсорів.. (Етап: ). Одеський національний університет імені І. І. Мечникова. № 0220U001028
Знайдено документів: 1

Оновлено: 2026-03-16