Пошук академічних текстів

Реєстраційний номер

0223U003850, , Науково-дослідна робота

Назва роботи

Вплив розмірних ефектів на електрофізичні властивості графен-сегнетоелектричних наноструктур

Керівник роботи

Морозовська Ганна Миколаївна, Доктор фізико-математичних наук

Дата реєстрації

12-07-2023

Організація виконавець

Інститут фізики Національної академії наук України

Опис

Об’єкт дослідження – сегнетоелектрики, графен, графен-сегнетоелектричні наноструктури та комплекси. Предмет дослідження – розмірні ефекти електрофізичних, полярних, магнітних та магнітоелектричних властивостей графен-сегнетоелектричних наноструктур. Мета НТР – встановлення впливу розмірних ефектів на електрофізичні, полярні, магнітні та магнітоелектричні властивості графен-сегнетоелектричних наноструктур (ГСЕНС) для створення новітніх пристроїв енергонезалежної пам'яті та надчутливих сенсорів. Мета 1-го етапу - аналіз впливу розмірних ефектів на електрофізичні, полярні та магнітні властивості ГСЕНС. Основні результати. Повною мірою виконано завдання 1-го етапу, які в сукупності істотно вдосконалюють стан розробки проблеми, зокрема: А) Теоретично проаналізовано вплив розмірних ефектів на фазові стани поляризації та динаміку доменної структури сегнетоелектрика-мультифероїка Hf1-xZrxO2, вкритого шаром графену. Використовуючи ефективну вільну енергію Ландау, ми виявили повну кореляцію між розподілом поляризації в плівці Hf1-xZrxO2 і носіями заряду в одношаровому графені. Б) За допомогою Раман-спектроскопії та дифракції рентгенівських променів проведені вимірювання та аналіз спектральних властивостей феродисторсних сегнетоелектриків SrBi2(Ta1-xNbx)2O9 та виявлено немонотонне зміщення максимуму раманівської смуги 810 см-1 зі збільшенням вмісту Nb, яке зумовлено феродисторцією, а саме нахилом октаедрів (Ta,Nb)O6. В) За допомогою Раман-спектроскопії, дифракції рентгенівських променів та вимірювань магнітних властивостей отримані нові знання про структуру та фазовий склад сегнетоелектриків-антиферомагнетиків Bi1-xRExFeO3 (RE - рідкоземельні елементи La, Lu або Sm).

Опис продукції