Знайдено документів: 1
Інформація × Реєстраційний номер 0223U003850, 0123U102727 , Науково-дослідна робота Назва роботи Вплив розмірних ефектів на електрофізичні властивості графен-сегнетоелектричних наноструктур Назва етапу роботи Керівник роботи Морозовська Ганна Миколаївна, Доктор фізико-математичних наук Дата реєстрації 12-07-2023 Організація виконавець Інститут фізики Національної академії наук України Опис етапу Об’єкт дослідження – сегнетоелектрики, графен, графен-сегнетоелектричні наноструктури та комплекси. Предмет дослідження – розмірні ефекти електрофізичних, полярних, магнітних та магнітоелектричних властивостей графен-сегнетоелектричних наноструктур. Мета НТР – встановлення впливу розмірних ефектів на електрофізичні, полярні, магнітні та магнітоелектричні властивості графен-сегнетоелектричних наноструктур (ГСЕНС) для створення новітніх пристроїв енергонезалежної пам'яті та надчутливих сенсорів. Мета 1-го етапу - аналіз впливу розмірних ефектів на електрофізичні, полярні та магнітні властивості ГСЕНС. Основні результати. Повною мірою виконано завдання 1-го етапу, які в сукупності істотно вдосконалюють стан розробки проблеми, зокрема: А) Теоретично проаналізовано вплив розмірних ефектів на фазові стани поляризації та динаміку доменної структури сегнетоелектрика-мультифероїка Hf1-xZrxO2, вкритого шаром графену. Використовуючи ефективну вільну енергію Ландау, ми виявили повну кореляцію між розподілом поляризації в плівці Hf1-xZrxO2 і носіями заряду в одношаровому графені. Б) За допомогою Раман-спектроскопії та дифракції рентгенівських променів проведені вимірювання та аналіз спектральних властивостей феродисторсних сегнетоелектриків SrBi2(Ta1-xNbx)2O9 та виявлено немонотонне зміщення максимуму раманівської смуги 810 см-1 зі збільшенням вмісту Nb, яке зумовлено феродисторцією, а саме нахилом октаедрів (Ta,Nb)O6. В) За допомогою Раман-спектроскопії, дифракції рентгенівських променів та вимірювань магнітних властивостей отримані нові знання про структуру та фазовий склад сегнетоелектриків-антиферомагнетиків Bi1-xRExFeO3 (RE - рідкоземельні елементи La, Lu або Sm). Опис продукції Автори роботи Боднарук Андрій Васильович Голуб Павло Володимирович Морозовська Ганна Миколаївна Раллєв Максим Віталійович Старинець Сергій Михайлович Ткаченко Віталій Сергійович Фесенко Олена Мар'янівна Яремкевич Андрій Дмитрович Додано в НРАТ 2023-07-12 Закрити
НДДКР ОК
Керівник: Морозовська Ганна Миколаївна. Вплив розмірних ефектів на електрофізичні властивості графен-сегнетоелектричних наноструктур. (Етап: ). Інститут фізики Національної академії наук України. № 0223U003850
Знайдено документів: 1

Оновлено: 2026-03-21