Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0224U002165, 0122U001806 , Науково-дослідна робота Назва роботи Ефекти наноструктурування як новітня інноваційна платформа мультифункціональності прогресивних ковалентно-сіткових склуватих систем Назва етапу роботи Керівник роботи Шпотюк Олег Йосипович, д.ф.-м.н. Дата реєстрації 06-02-2024 Організація виконавець Інститут фізичної оптики імені О. Г. Влоха Міністерства освіти і науки України Опис етапу Досліджені ефекти наноструктурування в метал-активованих ковалентно-сіткових склуватих системах (КССС) на основі халькогенідних стекол (ХС), халькогалогенідних стекол (ХГС) та боратних стекол (БС): 1. Вивчено особливості впровадження металічних активаторів в КССС та отримано експериментальні взірці для проведення досліджень метал-активованих систем: - Ga в ХС бінарного розрізу As/Ge-S/Sе (отримано масивні зливки стекол складів As40Se60 (відповідник – стехіометричний арсен триселенід As2Se3); Ga1(As0.4Se0.6)99; Ga2(As0.4Se0.6)98; Ga3(As0.4Se0.6)97; Ga4(As0.4Se0.6)96 та Ga5(As0.4Se0.6)95); - CsCl в ХГС квазібінарного розрізу GeS2-Ga2S3 (зливки стекол системи (80GeS2-20Ga2S3)100-x(CsCl)x - (80GeS2-20Ga2S3), (80GeS2-20Ga2S3)95(CsCl)5, (80GeS2-20Ga2S3)90(CsCl)10, (80GeS2-20Ga2S3)85(CsCl)15, а також стекла оптимізованого складу 65GeS2-25Ga2S3-10CsCl); - Ag і Cu в БС типу Li2B4O7 (метал-активовані стекла типу Li2B4O7:Ag і Li2B4O7:Gd,Ag; LiKB4O7:Ag і LiKB4O7:Gd,Ag, Li2B4O7:Er і Li2B4O7:Er,Ag). 2. Отримано спектральні характеристики оптичного пропускання в області краю фундаментального поглинання домішково-активованих КССС на основі ХС (система As/Ge-S/S-Ga), ХГС типу 65GeS2-25Ga2S3-10CsCl та БС Li2B4O7:Gd,Ag та Li2B4O7:Ag, LiKB4O7:Ag та LiKB4O7:Gd,Ag, Li2B4O7:Er та Li2B4O7:Er,Ag. 3. З використанням техніки Х-променевої дифрактометрії першого гострого дифракційного піку (ХПД-ПГДП) та позитронно-електронної анігіляційної спектроскопії (ПЕАС) отримано параметри атомно-специфічних і атомно-дефіцитних видозмін в домішково-активованих ХС, ХГС та БС. Ідентифіковано механізми домішкового наноструктурування в КССС на основі ХС системи As/Ge-S/S-Ga, ХГС квазібінарного розрізу GeS2-Ga2S3 та БС типу Li2B4O7, а також кераміці LiB3O5. Обґрунтовано методологію створення домішкових функціональних нанорозмірних неоднорідностей в КССС на основі ХС, ХГС та БС з оптимізованими характеристиками для відтворюваних елементів оптоелектроніки, ІЧ фотоніки, сенсорної та оптотелекомунікаційної техніки Опис продукції Автори роботи Адамів Володимир Теодорович Адаменко Дмитро Ігорович Бойко Віталій Теодорович Влох Ростислав Орестович Дудок Тарас Григорович Костирко Мирослав Євгенійович Мись Оксана Григорівна Теслюк Ігор Михайлович Шпотюк Любов Йосипівна Шпотюк Олег Йосипович Шпотюк Ярослав Олегович Додано в НРАТ 2024-02-06 Закрити