Реєстраційний номер
0225U001398,
(0124U004212)
, Науково-дослідна робота
Назва роботи
Електрохромні оксиди металів для прозорої надпровідної електроніки
Назва етапу роботи
Синтез та дослідження кристалічної структури, електрофізичних властивостей прозорих надпровідників
Керівник роботи
Шаповалов Андрій Петрович, Кандидат фізико-математичних наук
Дата реєстрації
30-01-2025
Організація виконавець
Державна наукова установа "Київський академічний університет"
Опис роботи
Загальна мета проекту полягає у розвитку абсолютно нової галузі прозорої електроніки, а саме електроніки прозорих надпровідників. Такі матеріали в поєднанні з квантовою фотонікою користуються великим попитом у таких новітніх технологіях, як квантові обчислення, зв'язок та зондування. Для досягнення цієї амбітної мети - створення електроніки прозорих надпровідників - необхідно розробити технології синтезу матеріали, що володіють необхідними характеристиками та дослідити особливості їх кристалічної структури та електротранспортні параметри.
Опис етапу
Прозорі надпровідники в поєднанні з квантовою фотонікою є дуже перспективними для квантових обчислень, зв’язку та зондування. Широкосмугові електрохромні оксиди металів, відновлений оксид індію-олова In2-ySnyO3-δ (ITO) з куполоподібною температурою переходу при 6 К та інтеркальований оксид вольфраму з можливою неперкольованою надпровідністю при приблизно 130 К поєднують необхідні властивості. Загальна мета проекту полягає у розвитку абсолютно нової галузі прозорої електроніки, а саме електроніки прозорих надпровідників. Такі матеріали в поєднанні з квантовою фотонікою користуються великим попитом у таких новітніх технологіях, як квантові обчислення, зв'язок та зондування. Особливою метою першого етапу буде розробка технологій тонких плівок для прозорих надпровідників на основі ITO. Для оптимізації надпровідних властивостей легованих плівок ITO проведено комплексний структурний і елементний аналіз, а також досліджено фізичних характеристики плівок отриманих електрохімічним відновленням та магнетронним методом осадження. Аналіз вищезазначених експериментальних даних дозволяє зробити висновок, що зародження надпровідного стану в плівках ITO, є значний дефіцит кисню в дуже тонкому верхньому шарі ITO. Проведено перші точково-контактні виміри відновлених плівок (ITO) у надпровідному стані, які одночасно демонструють високу прозорість у спектрі видимого світла. Аналіз спектра диференційної провідності вказує на наявність двох надпровідних фаз, основної з критичною температурою Tc біля 4.6 К та додаткової фази з Tc ~ 10 К, швидше за все, локалізованої на поверхні. Розділення фаз опосередковано підтверджується вимірюваннями опору цих шарів та розрахунками з перших принципів легованої електронної структури ITO.
Опис продукції
Автори роботи
Білоголовський Михайло Олександрович
Болясова Ольга Олександрівна
Монастирська Тетяна Олександрівна
Шнирков Володимир Іванович
Додано/оновлено в НРАТ
2026-06-23
