Пошук академічних текстів

Реєстраційний номер

0405U000599, Кандидатська дисертація

Назва роботи

Формування структури і фізичних властивостей нітридних плівок, отриманих методами реактивного розпилювання на підкладках Si, Ni, Ti, Ta, Mo і W

Здобувач

Кляхіна Наталія Панасівна,

На здобуття

к.ф.-м.н., 01.04.07, Фізика твердого тіла

Дата захисту

27-01-2005

Опис

Кляхіна Н.А. "Формування структури і фізичних властивостей нітридних плівок, отриманих методами реактивного розпилювання на підкладках Si, Ni, Ti, Ta, Mo і W" - Рукопис. Дисертація на здобуття ученого ступеня кандидата фізико-математичних наук за фахом 01.04.07 - фізика твердого тіла. - Донецький національний університет, Донецьк, 2005 р. У дійсній роботі проведене вивчення впливу різних методів реактивного розпилення на фазовий склад, кінетику росту і властивості тонкоплівкових нітридних покрить. Експериментально доведено, що плівки, отримані різними методами реактивного розпилювання на різних підкладках є багатофазними і багатошаровими, причому розходження в структурі і властивостях нітридних плівок обумовлене різною енергією іонів азоту і титану і різною щільністю їхнього потоку, кінетикою і температурою наростання плівок. Установлено, що при використанні методу ІІ формуються плівки, що мають добрі механічні, електричні, адгезионні й електрохімічні властивості. Плівки, отримані методом КІБ, мають найбільш високу дисперсність, твердість, корозійну стійкість і зчеплення з підкладкою. Максимальний питомий опір мають плівки, отримані методом ІІ на підкладках тугоплавких металів. Виявлено, що в методі ІІ матеріал підкладки впливає на фазовий склад і структуру нарощуваних плівок, у випадку методу КІБ, цей вплив незначний. Вперше теоретично й експериментально знайдені гетероепітаксійні температури для пар Si/Ti і Si/Al. Установлено, що кінетика наростання плівок у всіх випадках описується лінійним законом з різною константою росту. Рекомендовано використовувати плівки при виготовленні багатошарових БІС. Ключові слова: плівка, нітрид, іонна імплантація, магнетронне розпилення, конденсація й іонне бомбардування.