Пошук академічних текстів

Реєстраційний номер

0419U003149, Кандидатська дисертація

Назва роботи

Вплив радіаційних і фонових дефектів на властивості GaAs, CdTe, CdZnTe та детектори іонізуючих випромінювань на їх основі

Здобувач

Кондрик Олександр Іванович,

Керівник Ковтун Геннадій Прокопович
Опонент Клепіков Вячеслав Федорович
Опонент Лазурик Володимир Тимофійович

На здобуття

Кандидат фізико-математичних наук, 01.04.21, Радіаційна фізика і ядерна безпека

Дата захисту

11-06-2019

Опис

Дисертація присвячена з’ясуванню впливу фонових та радіаційно-стимульованих дефектів на електрофізичні властивості GaAs, CdTe, CdZnTe та характеристики детекторів ядерних випромінювань на основі цих сполук. За допомогою програмного коду, створеного на основі моделі компенсації у поєднанні з моделями розсіювання і рекомбінації, обчислювались положення рівня Фермі F, питомий опір ρ, електронна рухливість μn, час життя нерівноважних носіїв заряду τ в залежності від концентрації багатозарядних донорів та акцепторів, їх енергетичного положення в забороненій зоні напівпровідника, неоднорідностей легування в широкому температурному інтервалі. Проведено чисельне дослідження поведінки µ¬n, ρ, F, τ і ефективності збору зарядів η, для детекторів на основі GaAs, CdTe і CdXZn1-XTe в широких діапазонах концентрацій дефектів. Знайдено пояснення залежностей μn, ρ, τ і η від складу матриці. Визначені концентрації домішок та дефектів, необхідні для отримання високоомних CdTe і CdZnTe з високою µn і максимальною η у детекторах ядерних випромінювань з різною формою електродів. Встановлена кореляція між радіаційними дефектами, що виникають в CdTe:Cl і CdZnTe після жорсткого рентгенівського опромінення і ρ, η детекторів на їх основі. Визначена роль радіаційних дефектів у процесах деградації детекторних характеристик CdTe:Cl. Знайдено пояснення більш високої радіаційної стійкості CdZnTe у порівнянні з CdTe:Cl. Визначені умови деградації властивостей детектора на початковому етапі експлуатації під дією γ-опромінення.