Реєстраційний номер
0419U003149, Кандидатська дисертація
На здобуття
Кандидат фізико-математичних наук
Дата захисту
11-06-2019
Статус
Захищена
Назва роботи
Вплив радіаційних і фонових дефектів на властивості GaAs, CdTe, CdZnTe та детектори іонізуючих випромінювань на їх основі
Здобувач
Кондрик Олександр Іванович,
Керівник Ковтун Геннадій Прокопович
Опонент Клепіков Вячеслав Федорович
Опонент Лазурик Володимир Тимофійович
Установа, організація, у вченій раді якої відбудеться/відбувся захист
Національний науковий центр "Харківський фізико-технічний інститут" НАН України
Опис
Дисертація присвячена з’ясуванню впливу фонових та радіаційно-стимульованих дефектів на електрофізичні властивості GaAs, CdTe, CdZnTe та характеристики детекторів ядерних випромінювань на основі цих сполук. За допомогою програмного коду, створеного на основі моделі компенсації у поєднанні з моделями розсіювання і рекомбінації, обчислювались положення рівня Фермі F, питомий опір ρ, електронна рухливість μn, час життя нерівноважних носіїв заряду τ в залежності від концентрації багатозарядних донорів та акцепторів, їх енергетичного положення в забороненій зоні напівпровідника, неоднорідностей легування в широкому температурному інтервалі. Проведено чисельне дослідження поведінки µ¬n, ρ, F, τ і ефективності збору зарядів η, для детекторів на основі GaAs, CdTe і CdXZn1-XTe в широких діапазонах концентрацій дефектів. Знайдено пояснення залежностей μn, ρ, τ і η від складу матриці. Визначені концентрації домішок та дефектів, необхідні для отримання високоомних CdTe і CdZnTe з високою µn і максимальною η у детекторах ядерних випромінювань з різною формою електродів. Встановлена кореляція між радіаційними дефектами, що виникають в CdTe:Cl і CdZnTe після жорсткого рентгенівського опромінення і ρ, η детекторів на їх основі. Визначена роль радіаційних дефектів у процесах деградації детекторних характеристик CdTe:Cl. Знайдено пояснення більш високої радіаційної стійкості CdZnTe у порівнянні з CdTe:Cl. Визначені умови деградації властивостей детектора на початковому етапі експлуатації під дією γ-опромінення.
Дата реєстрації
2019-07-01
Додано/оновлено в НРАТ
2020-04-03 / 2026-06-29
