Пошук академічних текстів

Реєстраційний номер

0506U000234, Докторська дисертація

На здобуття

д.ф.-м.н., 01.04.10, Фізика напівпровідників і діелектриків

Дата захисту

28-04-2006

Статус

Запланована

Назва роботи

Оптичні і структурно-морфологічні властивості низькорозмірних структур на основі напівпровідників А3В5 і А2В6

Здобувач

Стрельчук Віктор Васильович,

Керівник Валах Михайло Якович
Опонент Томчук Петро Михайлович
Опонент Сизов Федір Федорович
Опонент Малюкін Юрій Вікторович

Опис

Дисертацію присвячено вирішенню проблеми взаємозв'язку між структурно-морфологічними і оптичними властивостями низькорозмірних структур на основі напівпровідників А3В5 і А2В6. З'ясовано закономірності процесу зародження та латерального впорядкування квантових точок (наноострівців) і квантових ниток, отриманих на основі процесів самоорганізації у напружених гетероструктурах. Показано, що на ранніх стадіях осадження (In,Ga)As/GaAs (CdSe/ZnSe) гетероструктур утворюється 2D шар, який включає внутрішньошарові плоскі наноострівці, збагачені In (Cd), що обумовлено аномально інтенсивною деформаційно-стимульованою інтердифузією та сегрегацією атомів у напружених гетероструктурах. З'ясовано основні закономірності впливу високих градієнтних полів анізотропних напружень у наноструктурах на просторове впорядкування, покращення однорідності розмірів та оптичну анізотропію випромінювання квантових точок та ниток. Виявлено та досліджено вплив компонентної неоднорідності та структурних дефектів на випромінювальну рекомбінацію носіїв заряду, екситон-фононну взаємодію, фононні збудження, антистоксове випромінювання у наноострівцях. З'ясовано вплив пасивації обірваних поверхневих зв'язків у нанокристалах, синтезованих хімічними методами, на їх випромінювальну рекомбінацію. Для InAs/AlSb наноструктур виявлено вплив типу інтерфейсу на концентрацію, рухливість 2D електронів в InAs КЯ та міжпідзонні LO-фонон-плазмонні збудження.

Додано в НРАТ

2020-04-04