Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0506U000234, Докторська дисертація На здобуття д.ф.-м.н. Дата захисту 28-04-2006 Статус Запланована Назва роботи Оптичні і структурно-морфологічні властивості низькорозмірних структур на основі напівпровідників А3В5 і А2В6 Здобувач Стрельчук Віктор Васильович, Керівник Валах Михайло Якович Опонент Томчук Петро Михайлович Опонент Сизов Федір Федорович Опонент Малюкін Юрій Вікторович Опис Дисертацію присвячено вирішенню проблеми взаємозв'язку між структурно-морфологічними і оптичними властивостями низькорозмірних структур на основі напівпровідників А3В5 і А2В6. З'ясовано закономірності процесу зародження та латерального впорядкування квантових точок (наноострівців) і квантових ниток, отриманих на основі процесів самоорганізації у напружених гетероструктурах. Показано, що на ранніх стадіях осадження (In,Ga)As/GaAs (CdSe/ZnSe) гетероструктур утворюється 2D шар, який включає внутрішньошарові плоскі наноострівці, збагачені In (Cd), що обумовлено аномально інтенсивною деформаційно-стимульованою інтердифузією та сегрегацією атомів у напружених гетероструктурах. З'ясовано основні закономірності впливу високих градієнтних полів анізотропних напружень у наноструктурах на просторове впорядкування, покращення однорідності розмірів та оптичну анізотропію випромінювання квантових точок та ниток. Виявлено та досліджено вплив компонентної неоднорідності та структурних дефектів на випромінювальну рекомбінацію носіїв заряду, екситон-фононну взаємодію, фононні збудження, антистоксове випромінювання у наноострівцях. З'ясовано вплив пасивації обірваних поверхневих зв'язків у нанокристалах, синтезованих хімічними методами, на їх випромінювальну рекомбінацію. Для InAs/AlSb наноструктур виявлено вплив типу інтерфейсу на концентрацію, рухливість 2D електронів в InAs КЯ та міжпідзонні LO-фонон-плазмонні збудження. Дата реєстрації 2006-04-28 Додано в НРАТ 2020-04-04 Закрити