Пошук академічних текстів

Реєстраційний номер

0508U000023, Докторська дисертація

Назва роботи

Взаємодія електромагнітного випромінювання та легких частинок з неідеальними кристалічними середовищами

Здобувач

Румянцев Володимир Васильович,

На здобуття

д.ф.-м.н., 01.04.07, Фізика твердого тіла

Дата захисту

20-12-2007

Опис

В дисертації представлено результати систематичних те-оретичних досліджень взаємодії неідеальних кристалічних середовищ з електромагнітним випромінюванням і легкими зарядженими частинками, чисельного моделювання екси-тонних спектрів молекулярних кристалів (ориєнтаційно-разупорядкованих та з изотопічними домішками заміщен-ня). Узагальнення методу діючого поля на двовимірно-періодичні структури дозволило одержати закони дисперсії «об'ємних» світлоекситонів з урахуванням симетрії поверх-невих граней. Установлено дисперсійне співвідношення, що характеризує метастабільні екситонні поляритони в валент-них напівпровідниках з алмазоподібною структурою, знайдено спектральну щільність інтенсивності випромінювання, що генерирується розпадом екситонних поляритонів, які породжені в алмазоподібнім кристалі бета-часткою, що рухається в ньому. Вивчено особливості концентраційної залеж-ності величини найнижчої енергетичної щілини й показника заломлення неідеального шаруватого композитного матеріалу з довільним числомхаотично впроваджених домішкових шарів змінної сполуки й/або товщини. Установлено залежність отриманої диференціальної характеристики комбінаційного розсіювання світла на дипольно активних коли-ваннях кисню О(4) при наявності вакансій у містках О(4)-Cu(1)-О(4) у тонкому шарі YBaCuO-кристала від концент-рації кисневих вакансій. Запропоновано модель впливу по-верхні на оптичні властивості YBaCuO-монокристалу, що базується на врахуванні змішування парних (КР-активних) g- і непарних (ІЧ-активних) u-мод у тонкому приповерхне-вому шарі. Оцінено величину інтенсивності сигналів комбінаційного розсіювання (спонтанного й змушеного) та другої оптичної гармоніки. У рамках екситонної моделі вперше отримано загальний вираз та особливості частотної дисперсії обертальної здатності однорідно деформованих зовніш-ньою механічною напругою молекулярних кристалів із примітивною решіткою із симетрією C3v , C4v , C6v , C3h , D3h, Td .