Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0823U101696, Дисертація доктора філософії На здобуття Доктор філософії Дата захисту 01-12-2023 Статус Запланована Назва роботи Фотоелектричні та оптоелектронні властивості функціоналізованих кремнієвих гетеро - наноструктур Здобувач Шмід Володимир Ігорович, Керівник Коротченков Олег Олександрович Опонент Горєлов Борис Михайлович Опонент Стронський Олександр Володимирович Рецензент Оліх Олег Ярославович Рецензент Шевченко Вікторія Богданівна Опис Дисертацію присвячено: встановленню фізичних механізмів оптоелектронних властивостей функціоналізованих кремнієвих епоксидним нанокомпозитом на основі епідіан 5 та гідрофільних і гідрофобних кремнієвих наночастинок; фотоелектричним властивостям плівок SiGe, покритих шарами аморфного та полікристалічного кремнію; фотоелектричним властивостям поверхонь Si із квантовими точками Ge; терагерцовій провідності надтонких плівок Au на кремнієвих поверхнях, покритих 3 - mercaptopropyl (MPTMS); фотоелектричним властивостям сонохімічно функціоналізованих гетеро-наноструктур Si / Ge; сонохімічній функціоналізації CaSiO3–SiO2–Si; фотоелектричним властивостям гетероструктур Si / ZnO та Si / NiO. Метою роботи є встановлення механізмів функціоналізації та викликаних нею змін оптоелектричних параметрів в кремнієвих гетеро - наноструктурах різного типу, включаючи тонкі й надтонкі шари та вбудовані квантові точки. Актуальність теми. З урахуванням потреб сучасної електроніки, альтернативної енергетики та розвитку фундаментальної теорії поверхневих явищ в напівпровідникових структурах постає питання про більш детальне дослідження складних гетеро - та нано - структур, які були б здатні змінювати свої параметри в залежності від поставлених технічних або експериментальних вимог. Ці потреби може задовільнити створення гетеро - та нано - структур, як первинної ланки, та їх подальша функціоналізація. Дата реєстрації 2023-12-08 Додано в НРАТ 2023-12-08 Закрити