Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 2113U009007, Матеріали видань та локальних репозитаріїв Категорія Стаття, Опубліковано Назва роботи ФІЗИЧНІ МЕХАНІЗМИ ФОРМУВАННЯ СТРУКТУРИ ЕПІТАКСІЙНИХ ШАРІВ МОНОКРИСТАЛІВ GAAS ПІД ЧАС ВИРОЩУВАННЯ З РІДКОЇ ФАЗИ Автор Лебедь Олег МиколайовичLebed Oleh Mykolaiovych Дата публікації 26-11-2013 Постачальник інформації "Наукові праці Вінницького національного технічного університету" (Вінницький національний технічний університет) Першоджерело https://praci.vntu.edu.ua/index.php/praci/article/view/365 Видання Вінницький національний технічний університет Опис Розроблено технологічні режими зниження щільності дислокацій в епітаксійних шарах (ЕШ) арсеніду галію під час використання ізовалентного металу-розчинника вісмуту, які дозволяють стабілізувати фронт кристалізації. Розглянуто та проаналізовано механізми, що відповідають за зміну структури ЕШ. Додано в НРАТ 2026-04-20 Закрити