Знайдено документів: 1
Інформація × Реєстраційний номер 0103U001514, ( 0206U002686  ) Науково-дослідна робота Назва роботи Механізми формування термоелектричних властивостей у кристалах і тонкоплівкових структурах на основі напівпровідників IV-VI Керівник роботи Рогачова Олена Іванівна, Дата реєстрації 20-03-2003 Організація виконавець Національний технічний університет "Харківський політехнічний інститут" Опис роботи Проведення експериментальних і теоретичних досліджень по визначенню основних факторів, що впливають на термоелектричну ефективність об'ємних кристалів та низькорозмірних структур на основі напівпровідникових сполук IV-VI з метою створення матеріалів з високою термоелектричною добротністю. Додано в НРАТ 2024-12-11 Закрити
НДДКР РК
Керівник: Рогачова Олена Іванівна. Механізми формування термоелектричних властивостей у кристалах і тонкоплівкових структурах на основі напівпровідників IV-VI. Національний технічний університет "Харківський політехнічний інститут". № 0103U001514
Знайдено документів: 1

Оновлено: 2026-03-27