Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0103U008792, ( 0205U004253  ) Науково-дослідна робота Назва роботи Проектування високошвидкісних НВІС у застосуванні до SiGe наноелектроніки Керівник роботи Сизов Федір Федорович, Дата реєстрації 19-11-2003 Організація виконавець Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України Опис роботи Розробка нових принципів йонно-імплантаційних технологій для шарів SiGe і конструювання надвисокочастотної (2-10 ГГц) елементної бази для цифрових та аналогових надвеликих інтегральних схем, зокрема для високочастотних систем зв’язку Додано в НРАТ 2024-12-11 Закрити