Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0113U004537, ( 0214U008724  ) Науково-дослідна робота Назва роботи Розвиток новітніх технологій тополого-адаптивного наноструктурування прогресивних ІЧ фотонних середовищ на основі халькогенідних склоподібних напівпровідників. Керівник роботи Блонський Іван Васильович, Дата реєстрації 12-06-2013 Організація виконавець Інститут фізики НАН України Опис роботи Основна мета даного проекту - розвиток технологій цілеспрямованої тополого-адаптивної наноструктуризації ХСН типу Ge/As-S. Виконання даного проекту дасть можливість вперше встановити ефективні кількісні критерії наноструктурної оптимізації ХСН з метою активації в них високоефективних процесів фс лазерної модифікації. В результаті будуть запропоновані склоподібні функціональні середовища з оптимізованими значеннями оптичного світлопропускання, температури розм'якшення та структурно-релаксаційних параметрів для практичного використання в сучасній оптоелектроніці та ІЧ-фотоніці. Додано в НРАТ 2024-12-10 Закрити